一种二维同主族二元异质结及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种二维同主族二元异质结，包括二维A纳米片材料以及包裹二维A纳米片材料的B纳米材料，其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。该二维同主族二元异质结能够对同一pH条件下、不同波长的光信号实现不同的光电响应，同时在不同的pH条件下、相同的光信号照射下也能产生不同的光电响应。基于本发明专利技术二维同主族二元异质结对不同pH值和光波长产生不同的响应，可以应用光电探测器和pH探测器，用于实现光信号探测和pH值探测。本发明专利技术还提供了一种二维同主族二元异质结的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种二维同主族二元异质结及其制备方法
本专利技术涉及二维纳米材料及其应用领域，具体涉及一种二维同主族二元异质结纳米材料，本专利技术还涉及二维同主族二元异质结的制备方法
技术介绍
在过去的二十年中，二维(2D)材料的突破性发现包括六方氮化硼(h-BN)，石墨烯，过渡金属二硫化碳(TMD)，和一系列单元素2D材料，引起了全世界研究的巨大兴趣。其中，IV-VI族的2D单元素材料因其出色的电子和光子性能而成为具有广阔应用前景的材料。然而，目前2D单元素材料面临很多急需解决的关键问题，例如材料的大批量制备和材料的环境稳定性问题。同时，目前制备的光电探测器存在稳定性差、波段响应范围窄，响应度低以及响应速度慢等缺点。采用新的材料来克服以上材料和期间方面的缺点是目前研究的主要任务。良好制备的2D材料为构建基于2D异质结构材料提供了基础，构筑2D异质结材料是能够有效克服单元素期间局限性，又为光电检测以外的潜在多功能器件应用引入了多种特性。研究表明由两个或多个组件组成的2D异质结构通常具有每个单独构造块的优势，并且还产生了额外的意料不到的物理特性，这些特性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维同主族二元异质结，其特征在于，包括二维A纳米片材料以及包裹二维A纳米片材料的B纳米材料，其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种二维同主族二元异质结，其特征在于，包括二维A纳米片材料以及包裹二维A纳米片材料的B纳米材料，其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。


2.如权利要求1所述的二维同主族二元异质结，其特征在于，所述A与B均为Ⅵ主族元素中的一种。


3.如权利要求2所述的二维同主族二元异质结，其特征在于，所述二维A纳米材料为二维碲纳米片，所述B纳米材料为二维硒纳米片。


4.一种二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供B粉并将B粉溶解于氨水中，制得B粉-氨水溶液；
提供二维A纳米片材料并将二维A米片材料溶解于超纯水中，制得二维A纳米片溶液；
将B粉-氨水溶液逐滴加入二维A纳米片溶液中，将混合溶液转移至30～50℃下搅拌1～12h，再将混合溶液转移至70～90℃下反应1～12h，收集沉淀，洗涤、干燥，制得二维同主族二元异质结；
其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。


5.如权利要求4所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，所述二维A纳米片材料为二维碲纳米片，所述B粉为硒粉；
所述硒粉的质量与二维碲纳米片的质量之比为1～50:10。


6.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，张也，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44