【技术实现步骤摘要】
一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用
本专利技术属于微电子
，更具体地，涉及一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用。
技术介绍
近年来，随着科技的不断的发展，薄膜器件受到的关注不断增加，在各个领域内都有很大的发展，光电二级管就是其中一个极具发展前进的方向。光电二极管是一种能够将光转化为电压或电流的光电探测器。光电二极管与常规的半导体二极管基本相似，只是光电二极管可以直接暴露在光源附近或者通过透明小窗、光导纤维封装，来允许光到达器件的光敏感区域来检测光信号。一个光电二极管的基本结构非常简单，通常由一个PN结来构成。当一个具有充足能量的光子冲击在器件的光敏感区域时，它将激发一个电子，从而产生自由电子，同时还伴随着一个带有正电的空穴，这样的机制被称为内光电效应。倘若光子的吸收发生在PN结的耗尽层，则该区域的内电场将会消除其间的障碍，使得空穴朝着阳极运动，电子朝着阴极运动，这样光电流就产生了。PN结型光电二极管与其他类型光探测器一样在诸如光敏电阻、感光耦合元件以...
【技术保护点】
1.一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件，其特征在于，所述薄膜器件是在清洗的硅片上先旋涂LaNiO
【技术特征摘要】
1.一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件，其特征在于，所述薄膜器件是在清洗的硅片上先旋涂LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3前驱体溶液，得到凝胶湿膜，在100～180℃烘干，300～400℃热解，600～700℃预退火，然后再重复旋涂、烘干、热解和预退火过程，再在750～800℃退火，制得底电极LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3薄膜；然后在LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3薄膜上旋涂Bi2FeCrO6前驱体溶液，再擦拭所得Bi2FeCrO6凝胶湿膜露出部分底电极，在100～180℃烘干，300～400℃热解，600～700℃预退火，然后再重复旋涂、烘干、热解和预退火过程，在750～800℃退火制备Bi2FeCrO6薄膜；然后在Bi2FeCrO6薄膜正面镀上顶电极制得；所述薄膜器件的结构为顶电级/Bi2FeCrO6薄膜/底电极/n-Si基片。
2.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件，其特征在于，所述Bi2FeCrO6薄膜的厚度为300～400nm；所述底电极的厚度为100～150nm。
3.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件，其特征在于，所述顶电极为Au、W、Ag、Ti、Al、TiN或Pt中的一种以上。
4.根据权利要求1所述的具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件，其特征在于，所述底电极为LaNiO3(LNO)或La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)。
5.根据权利要求1-4任一项所述的具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括如下具体操作：
S1.先将硅片衬底切割，分别用去离子水和乙醇超声清洗，得到清洗的硅片；
S2.采用溶胶凝胶法在清洗的硅片上旋涂LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3前驱体溶液，得到凝胶湿膜，然后在100～180℃烘干，300～400℃热解，600～700℃预退火，然后再重复旋涂、烘干、热解和预退火过程，再在750～800℃退火，制得LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3薄膜；
S3.在L...
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