基于NiFe制造技术

本发明专利技术公开了一种基于NiFe

【技术实现步骤摘要】
基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管及制备方法
本专利技术属于紫外光电探测应用
，具体涉及一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，本专利技术还涉及一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法。
技术介绍
紫外探测技术是近年来快速发展的光电探测技术之一。紫外探测器在导弹预警、水质监测和灾害天气预报等方面均有重要的用途。碳化硅(4H-SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的代表，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和迁移率高、介电常数小等性质使其在紫外光电探测器件、电力电子和激光器等领域具有巨大的应用潜力。4H-SiCPIN型紫外探测器具有较低的噪声、较快的光电响应度等特点。一般情况下，碳化硅的P型掺杂是对其进行Al掺杂，由于Al在室温下的电离能较高，室温下不能完全电离，从而导致P型碳化硅的掺杂浓度不高。而尖晶石相P型NiFe2O4薄膜是具有优良光电性能的半导体氧化物，根据目前的报道，其光学带隙约为2.3eV，其强的光吸收发生在短波紫外光区。同时，与P型的碳化硅相比，NiFe2O4具有更高的空穴浓度。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于NiFe

【技术特征摘要】
1.基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，其特征在于，包括顶电极(1)和底电极(5)，顶电极(1)和底电极(5)之间由顶电极(1)向底电极(5)方向依次设置有P型NiFe2O4薄膜(2)、I型SiC薄膜(3)和N型SiC衬底(4)。


2.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述顶电极(1)和底电极(5)材料为Au、Al、Ni、Ti、Cu、Pb金属材料中的一种，或者包含上述金属材料的合金或ITO导电性化合物。


3.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述N型SiC衬底(4)为掺杂的4H-SiC单晶材料，掺杂浓度约为1018cm-3；I型SiC薄膜(3)为非故意掺杂的4H-SiC层，掺杂浓度约为1015cm-3。


4.根据权利要求1所述的基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管，其特征在于，所述P型NiFe2O4薄膜(2)载流子浓度为1017～1018cm-3。


5.一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
步骤1、对N型SiC衬底(4)进行清洗，清洗后吹干待用；
步骤2、在所述步骤1清洗后的N型SiC衬底(4)上进行本征4H-SiC同质外延层生长；
步骤3、在所述步骤2得到的本征4H-SiC同质外延层上进行P型NiFe2O4异质外延层生长；
步骤4、在所述步骤3得到的P型NiFe2O4异质外延层上制作顶电极(1)；
步骤5、在所述N型SiC衬底(4)下表面制作底电极(5)，最终形成NiFe2O4/SiC紫外光电二极管。


6.根据权利要求5所述的一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中清洗流程为：依次使用清洗液、40％氢氟酸溶液、酒精、去离子水逐步对N型SiC衬底(4)进行清洗。


7.根据权利要求6所述的一种基于NiFe2O4/SiC紫外光电二极管的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡继超，许蓓，贺小敏，王曦，李连碧，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61