一种红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种红外探测器，其包括GaSb衬底；GaSb缓冲层，其中掺杂有Be；超晶格结构，其包含P接触层、I吸收层和N接触层；所述P接触层为InAs/Ga

【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器及其制备方法
本专利技术涉及红外探测器领域，特别是涉及一种红外探测器及其制备方法。
技术介绍
红外探测器由于其优异的性能已经广泛应用于预警卫星、导弹探测、激光雷达、通信、夜视和红外成像等方面。目前较成熟的红外焦平面探测器多采用锑化铟(InSb)或碲镉汞(MCT)作为探测器的材料。这两种材料可以满足中波红外线探测，探测发动机等高温目标效果很好，但是对低温目标的探测效果仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种红外探测器，对低温目标具有良好的探测效果。本专利技术第一个方面提供了一种红外探测器，其包括：GaSb衬底；GaSb缓冲层，其中掺杂有Be；超晶格结构，其包含P接触层、I吸收层和N接触层；所述P接触层为InAs/Ga0.75In0.25Sb，所述P接触层的Ga0.75In0.25Sb分子层中掺杂Be；所述I吸收层为InAs/Ga0.75In0.25Sb，所述I吸收层的Ga0.75In0.25Sb分子层中掺杂Be；所述N接触层为InAs/Ga0.75In0.25本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外探测器，其包括：/nGaSb衬底；/nGaSb缓冲层，其中掺杂有Be；/n超晶格结构，其包含P接触层、I吸收层和N接触层；所述P接触层为InAs/Ga

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器，其包括：
GaSb衬底；
GaSb缓冲层，其中掺杂有Be；
超晶格结构，其包含P接触层、I吸收层和N接触层；所述P接触层为InAs/Ga0.75In0.25Sb，所述P接触层的Ga0.75In0.25Sb分子层中掺杂有Be；所述I吸收层为InAs/Ga0.75In0.25Sb，所述I吸收层的Ga0.75In0.25Sb分子层中掺杂有Be；所述N接触层为InAs/Ga0.75In0.25Sb，所述N接触层的InAs分子层中掺杂有Si；
N盖层，所述N盖层为Si掺杂的InAs。


2.根据权利要求1的红外探测器，其中，所述GaSb缓冲层中Be的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3。


3.根据权利要求1的红外探测器，其中，所述P接触层的Ga0.75In0.25Sb分子层中Be的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3。


4.根据权利要求1的红外探测器，其中，所述I吸收层的Ga0.75In0.25Sb分子层中Be的掺杂浓度为1×1013-2×1015cm-3。


5.根据权利要求1的红外探测器，其中，所述N接触层的InAs分子层中Si的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3。


6.根据权利要求1的红外探测器，其中，所述N盖层中Si的掺杂浓度为1×1016-1×1018cm-3。


7.根据权利要求1的红外探测器，其中，各层的厚度为：
GaSb缓冲层：500nm；
P接触层：500nm；
I吸收层：2200nm；
N接触层：500nm；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王炫名，
申请(专利权)人：北京镁芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11