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本发明提供了一种红外探测器，其包括GaSb衬底；GaSb缓冲层，其中掺杂有Be；超晶格结构，其包含P接触层、I吸收层和N接触层；所述P接触层为InAs/Ga...
该专利属于北京镁芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镁芯科技有限公司授权不得商用。

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