一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，属于半导体结构技术领域。所述PIN结结构为控制InGaAs材料上N型InP层厚度为10nm～30nm；N型InP上位掩膜层；对掩膜层光刻表面图形化，去除掩膜层区域为二次外延生长区域，在二次外延区域上有一层掺杂Zn的P型InP层。具有所述PIN结结构的InGaAs焦平面探测器集合了台面型和平面型InGaAs焦平面探测器的优点，方法简单、串音小、光敏元可控、电流小、均匀性高、探测率高并且对人员所处环境要求低。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构
本技术涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，属于半导体结构

技术介绍
短波红外铟镓砷(InGaAs)焦平面探测器具有无需在超高真空中工作、量子效率高、可靠性好、可常温工作、制备成本低等优点，同时，其光电响应信号可方便地进行输入、输出以及各种数据处理，具备信号的传递与分享能力，满足夜视装备向数字化、短波以及固态器件方向发展的需求，更符合现代战争信息化、网络化以及智能化的作战需求。根据探测器的结构类型不同，目前InGaAs焦平面探测器主要分为平面型和台面型两类。对于台面型InGaAs焦平面探测器，需要通过刻蚀进行物理隔离形成相互独立的光敏元，所述结构的InGaAs焦平面探测器具有制备简单、串音低以及光敏面易定义等优点，但刻蚀带来的损伤及台面侧面的暴露会使器件的漏电增加，降低器件的可靠性，在很大程度上限制了器件探测率的提高。对于平面型InGaAs焦平面探测器，具有暗电流小、探测率高以及寿命长等优点，弥补了台面型InGaAs焦平面探测器的不足。目前平面型InGaAs焦平面探测器PI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，其特征在于：所述结构包括将平面型InGaAs焦平面探测器InGaAs吸收层(4)上的N型InP层(5)的厚度控制为10nm～30nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，其特征在于：所述结构包括将平面型InGaA...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱琴，龚晓霞，杨文运，宋欣波，李徳香，肖婷婷，范明国，杜润来，尚发兰，吕浩，柴圆媛，太云见，黄晖，
申请(专利权)人：云南北方昆物光电科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：云南;53