一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法技术

一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及紫外光电探测器，尤其是涉及可明显提高紫外日盲短波段信号吸收和响应度的一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法。
技术介绍
随着紫外线在工业制造、医疗卫生消毒、环境监测等方面都得到了越来越广泛的应用，紫外光波段信号，特别是紫外光日盲波段(波长为0.20～0.28μm)信号的探测技术逐渐得到重视，不同材料和结构的紫外光电探测器陆续被研制，其中半导体材料的紫外光电探测器具有低电压、体积小、寿命长等优良特性成为研究热点。目前，硅基探测器工艺成熟，但硅禁带宽度小，短波紫外信号探测会受到可见光的影响，所以需要加装滤波片，而宽禁带半导体光电探测器则可以准确检测到紫外信号。碳化硅作为第三代宽禁带半导体的重要材料之一，具有宽带隙、击穿电场高、高载流子饱、高速率，热导率好等特性(HuiliZhu,XiapingChen,JiafaCai,ZhengyunWu,4H–SiCultravioletavalanchephotodetectorswithlowbreakdownvoltageandhighga本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在碳化硅n+型衬底的硅面上设有同质的碳化硅n型缓冲层，在碳化硅n型缓冲层的中心向上设有圆柱状碳化硅n型层，以圆柱状碳化硅n型层的轴心为中心往外依次设有圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状的碳化硅p+型欧姆接触层，碳化硅p+型欧姆接触层全部设在圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层侧上部分且不与碳化硅n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在碳化硅p+型欧姆接触层、圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱状碳化硅n型层表面设有SiO

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在碳化硅n+型衬底的硅面上设有同质的碳化硅n型缓冲层，在碳化硅n型缓冲层的中心向上设有圆柱状碳化硅n型层，以圆柱状碳化硅n型层的轴心为中心往外依次设有圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状的碳化硅p+型欧姆接触层，碳化硅p+型欧姆接触层全部设在圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层侧上部分且不与碳化硅n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在碳化硅p+型欧姆接触层、圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱状碳化硅n型层表面设有SiO2钝化层；在碳化硅n+型衬底的背面设有欧姆接触n+型电极，在p+型欧姆接触层侧上表面设有欧姆接触p+型电极。


2.如权利要求1所述一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱状碳化硅n型层的高为2～4μm，底面半径为2～5μm，掺杂浓度为1×1018/cm3～5×1018/cm3。


3.如权利要求1所述一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层由上下两个半径不相同的圆柱管状体组成，上圆柱管状体内圆半径为2～5μm，外圆半径为10～50μm，高为1～2μm，下圆柱管状体内圆半径为2～5μm，外圆半径为12～55μm，高为1～2μm，上下两个圆柱管状体的掺杂浓度相同，均为1013/cm3～1014/cm3数量级，圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层的总高度与圆柱状碳化硅n型层的高度一致。


4.如权利要求1所述一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱管状的碳化硅p+型欧姆接触层设在碳化硅低掺i型吸收层的外侧上部分，高度与碳化硅低掺i型吸收层上圆柱管状体的高度一致，高度为1～2μm，内圆半径为10～50μm，外圆半径为12～55μm，掺杂浓度为1019/cm3数量级。


5.如权利要求1所述一种碳化硅同轴紫外光电探测器，其特征在于所述圆柱管状的碳化硅p+型欧姆接触层的高度小于碳化硅低掺i型吸收层的总高度。


6.如权利要求1所述一种碳化硅同轴紫外光电探测器的制备方法，其特征在于包...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪荣墩，张锐军，吴正云，张峰，蔡加法，付钊，林鼎渠，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35