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本实用新型涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，属于半导体结构技术领域。所述PIN结结构为控制InGaAs材料上N型InP层厚度为10nm～30nm；N型InP上位掩膜层；对掩膜层光刻表面图形化，去除掩膜层区域为二次外延生长区域，...
该专利属于云南北方昆物光电科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南北方昆物光电科技发展有限公司授权不得商用。

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