一种低位错锑化铟制造技术

本发明专利技术涉及一种低位错锑化铟

A Low Dislocation Indium Antimony

The invention relates to a low dislocation indium antimonide.

【技术实现步骤摘要】
一种低位错锑化铟＜111＞方向单晶的制备方法
本专利技术涉及一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法，属于光电材料

技术介绍
锑化铟是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中禁带宽度最窄，迁移率最大的材料，其物理、化学性能稳定，被广泛应用于红外探测器及霍尔器件等方面。红外探测器的量子效率与选用的红外敏感材料密切相关，而锑化铟在3μm～5μm波段具有很高的量子效率，加上锑化铟在制备红外探测器上成本低，锑化铟红外探测器以其在军事方面的重要应用及在民用方面的广泛前景，引起了越来越广泛的关注。另外，为了适应锑化铟红外焦平面列阵器件向大规模发展的趋势，同时，为了降低红外探测器器件研制成本并提高生产效率，国内外一直在研究发展大尺寸锑化铟单晶生长的技术。目前锑化铟单晶生长主要采用常规的Czochralski(切克劳斯基)法生长，这是一种制备半导体块状单晶材料的重要手段。该方法可以不受坩埚约束而生长晶体，晶体的外形尺寸在一定范围内可选择，同时，所制备的晶体有较高的完整性。Czochralski法生长单晶的设备主要包括加热器、石英管、坩埚以及提拉杆，加热器对放置坩埚的石英管区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低位错锑化铟

【技术特征摘要】
1.一种低位错锑化铟<111>方向单晶的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：(1)将按化学计量比配制的铟和锑的混合物加热至完全熔化后，再进行凝固，得到锑化铟多晶材料；(2)对锑化铟多晶材料进行不低于30次的区域提纯后，在77K下截取锭条中载流子浓度小于等于1×1014cm-3，电子迁移率大于等于6×105/V·S的部分，即为高纯度的锑化铟多晶材料；(3)对高纯度的锑化铟多晶材料表面进行清洁处理后，装入石英坩埚中，随后再转移至充有氢气且密封的石英管中，并对放置石英坩埚的石英管区域进行加热，使石英坩埚内高纯度的锑化铟多晶材料完全熔化成液体；(4)降低加热功率，待液体表面区域形成晶核后，将<111>方向的锑化铟籽晶插入液体中，待液体表面的温度与液体表面上方空气之间的温差为55℃～80℃时，再以21r/min～30r/min的转速和30mm/h～40mm/h的上升速度提拉...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘世能，李忠良，叶薇，陈建才，何雯瑾，太云见，赵鹏，黄晖，
申请(专利权)人：云南北方昆物光电科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：云南,53