【技术实现步骤摘要】
功能模组及其制备方法和应用
本专利技术涉及光电
,特别是涉及一种功能模组及其制备方法和应用。
技术介绍
短波红外光探测器在民用、工业、科学等领域有广泛的用途而备受关注,但是目前市场上使用的短波红外探测器主要是InGaAs探测器,它的性能虽然比较好,然而其诸如工艺苛刻等缺点导致这种探测器多用于军事和航空等领域,无法普及民用。具有含锡硒层的探测器(例如:以锌黄锡矿结构的I2-II-IV-VI4型四元硒族化合物半导体Cu2CdxZn1-xSnSe4)的生产工艺的要求相对较低,但现有的具有含锡硒层的探测器的效率较低,不能满足实际需求。
技术实现思路
基于此,有必要提供一种能够制备效率较高的探测器的功能模组。此外,还提供一种功能模组的制备方法及功能模组的应用。一种功能模组,包括:衬底;及吸收层,设置在所述衬底上,所述吸收层含有硒元素和锡元素;及势垒层,设置在所述吸收层的远离所述衬底的一侧上,所述势垒层含有锗元素。研究发现,现有的具有含锡硒层的探测器的含锡硒层中容 ...
【技术保护点】
1.一种功能模组,其特征在于,包括:/n衬底;及/n吸收层,设置在所述衬底上,所述吸收层含有硒元素和锡元素;及/n势垒层,设置在所述吸收层的远离所述衬底的一侧上,所述势垒层含有锗元素。/n
【技术特征摘要】
1.一种功能模组,其特征在于,包括:
衬底;及
吸收层,设置在所述衬底上,所述吸收层含有硒元素和锡元素;及
势垒层,设置在所述吸收层的远离所述衬底的一侧上,所述势垒层含有锗元素。
2.根据权利要求1所述的功能模组,其特征在于,所述势垒层为铜镉锌锗硒薄膜层或者铜锌锗硒薄膜层;
及/或,所述吸收层为铜锌锡硒薄膜层或者铜镉锌锡硒薄膜层。
3.根据权利要求1~2任一项所述的功能模组,其特征在于,所述吸收层的厚度为1.0μm~1.5μm;
及/或,所述势垒层的厚度为90nm~110nm。
4.根据权利要求1~2任一项所述的功能模组,其特征在于,所述功能模组还包括第一电极、缓冲层、第二电极和栅极层,所述第一电极设置在所述衬底及所述吸收层之间,所述缓冲层设置在所述势垒层的远离所述吸收层的一侧上,所述第二电极设置在所述缓冲层的远离所述势垒层的一侧上,所述栅极层设置在所述第二电极的远离所述缓冲层的一侧上。
5.一种功能模组的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用第一靶材在衬底上形成吸收层,所述第一靶材含有硒元素和锡元素;及
采用第二靶材在所述吸收层的远离所述衬底的一侧上形成势垒层,得到功能模组,所述第二靶材含有锗元素。
6.根据权利要5所述的功能模组的制备方法,其特征在于,所述第一靶材还含有铜元素及锌元素;所述第二靶材还含有铜元素、锌元素和硒元素;
或者,所述第一靶材还含有铜元素、锌...
【专利技术属性】
技术研发人员:周长著,汪智伟,冯叶,黎年赐,杨春雷,
申请(专利权)人:深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:广东;44
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