一种红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：光电二极管，包括上表面和下表面；薄膜，设置于光电二极管的上表面；纳米点，设置于薄膜的表面；第一电极，设置于纳米点的表面；纳米柱阵列，设置于光电二极管的下表面；第二电极，包括与纳米柱阵列相配合连接的纳米孔阵列，第二电极通过纳米孔阵列连接到光电二极管的下表面。金属纳米孔阵列具有表面等离激元增强效应，可以增强对红外光的吸收效率，根据不同的吸收波段，并且可以调节孔径及其分布，从而达到最佳效果。纳米点具有较为显著的量子效应，可提高红外探测器对红外光的吸收效率和灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器及其制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种红外探测器及其制备方法。
技术介绍
目前，Si基光电二极管(PD)、雪崩型光电二极管(APD)具有成本低、工艺较为成熟等优点，在红外探测领域得到了广泛的应用，是目前红外探测器的主流之一。然而，受限于材料、器件结构以及制作工艺的因素，Si基光电二极管(PD)、雪崩型光电二极管(APD)的效率和灵敏度并不是很理想。现有提高Si基光电二极管(PD)、雪崩型光电二极管(APD)的效率和灵敏度的技术，其制作工艺相对复杂、成本较高成为制约红外探测器的发展的一个重要因素。
技术实现思路
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请提出一种红外探测器，具有高效率和高灵敏度的优点；以及一种红外探测器的制备方法，具有制作工艺简单、成本低的优点。本专利技术解决其问题所采用的技术方案是：一方面，本专利技术实施例提供了一种红外探测器，包括：光电二极管，包括上表面和下表面；薄膜，设置于所述光电二极管的所述上表面；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外探测器，其特征在于，包括：/n光电二极管，包括上表面和下表面；/n薄膜，设置于所述光电二极管的所述上表面；/n纳米点，设置于所述薄膜的表面；/n第一电极，设置于所述纳米点的表面；/n纳米柱阵列，设置于所述光电二极管的所述下表面；/n第二电极，包括与所述纳米柱阵列相配合连接的纳米孔阵列，所述第二电极通过所述纳米孔阵列连接到所述光电二极管的所述下表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器，其特征在于，包括：
光电二极管，包括上表面和下表面；
薄膜，设置于所述光电二极管的所述上表面；
纳米点，设置于所述薄膜的表面；
第一电极，设置于所述纳米点的表面；
纳米柱阵列，设置于所述光电二极管的所述下表面；
第二电极，包括与所述纳米柱阵列相配合连接的纳米孔阵列，所述第二电极通过所述纳米孔阵列连接到所述光电二极管的所述下表面。


2.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述纳米孔阵列包括纳米孔，所述纳米孔的形状为圆形或者六边形，直径为30至900nm，相邻所述纳米孔之间的中心间距为80至1800nm。


3.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述纳米点由Si、Ge、GeSi、CuS、MoS2、CdS中的一种或多种组成。


4.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述纳米柱阵列包括纳米柱，所述纳米柱的高度为50至500nm，直径为30至900nm，相邻所述纳米柱之间的中心间距为80-1800nm。


5.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于：所述薄膜的厚度为2至10nm。


6.一种制备二极管的方法，应用于红外探测器，所述红外探测器包括光电二极管、薄膜、纳米点、第一电极、纳米柱阵列以及第二电极，其特征在于，所述方法包括：
将所述薄膜粘接在所述光电二极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨为家，邱晨，吴质朴，何畏，
申请(专利权)人：深圳市奥伦德元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44