一种SE太阳电池正面开槽结构及SE太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种SE太阳电池正面开槽结构，设于硅片表面；其包括：用于形成边框电极的边框电极槽，其靠近硅片边缘设置，且不与硅片边缘重合；所述边框电极槽围合形成栅线开槽区；用于形成副栅电极的多条相互平行的副栅电极槽；所述副栅电极槽设于栅线开槽区内，且其两端超出左右两侧的边框电极槽。本实用新型专利技术还公开了一种SE太阳电池。实施本实用新型专利技术，可有效减少硅片损伤，减少复合中心，提升太阳电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SE太阳电池正面开槽结构及SE太阳电池
本技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种SE太阳电池正面开槽结构及SE太阳电池。
技术介绍
随着晶硅太阳能电池逐渐加大的规模化生产，提高电池效率则成了电池
亟需关注的热点。选择性发射极(SelectiveEmitter，以下简称SE)高效电池因其较常规电池效率高，且SE激光开槽工艺与产线兼容性高，产能优势明显及辅料成本低廉等优势在产业化生产中占有较大的市场份额。参考图1，现有选择性发射极开槽包括多条平行、间距均匀分布的栅线槽A、边框槽B和MARK点C，栅线槽与边框槽相连，这种结构在进行激光雕刻时，容易对边框区域形成重复雕刻损伤，增加复合中心，降低电池转换效率。现有的栅线槽是宽度相同的激光槽，而在后期丝网印刷过程中，印刷网版在边缘处的形变量大于其在中心区域的形变量，这就使得丝网印刷对位困难，造成偏移、EL雾状发黑等问题，从而缩短太阳能电池使用寿命，降低其转换效率。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种SE太阳电池正面开槽结构，其可有效降低硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SE太阳电池正面开槽结构，设于硅片表面；其特征在于，包括：/n用于形成边框电极的边框电极槽，其靠近硅片边缘设置，且不与硅片边缘重合；所述边框电极槽围合形成栅线开槽区；/n用于形成副栅电极的多条相互平行的副栅电极槽；所述副栅电极槽设于栅线开槽区内，且其两端超出左右两侧的边框电极槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种SE太阳电池正面开槽结构，设于硅片表面；其特征在于，包括：
用于形成边框电极的边框电极槽，其靠近硅片边缘设置，且不与硅片边缘重合；所述边框电极槽围合形成栅线开槽区；
用于形成副栅电极的多条相互平行的副栅电极槽；所述副栅电极槽设于栅线开槽区内，且其两端超出左右两侧的边框电极槽。


2.如权利要求1所述的SE太阳电池正面开槽结构，其特征在于，所述副栅电极槽包括至少两条第一副栅电极槽和多条第二副栅电极槽；
所述第一副栅电极槽设置在所述栅线开槽区上下两端；多条所述第二副栅电极间距均匀地分布在所述第一副栅电极槽之间。


3.如权利要求2所述的SE太阳电池正面开槽结构，其特征在于，所述副栅电极槽包括4～10条第一副栅电极槽和110～130条第二副栅电极槽。


4.如权利要求2所述的SE太阳电池正面开槽结构，其特征在于，所述第一副栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：晋亚铭，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33