一种新型P型晶硅TOPCon电池结构及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层SixNy、硼掺杂氧化硅层SiOx(B)、二氧化硅层（SiO

【技术实现步骤摘要】
一种新型P型晶硅TOPCon电池结构及其制备工艺
本专利技术涉及太阳能电池生产领域。
技术介绍
目前，晶硅电池的主流产品为PERC电池，其生产工艺简单，制造成本低，叠加LDSE其转换效率可达22.5%以上，但后续的效率增长空间受限，较大程度影响PERC电池的持续发展。在2019年的SNEC展会期间，TOPCon电池横空出世，受到了行业的焦点关注。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构可以阻挡少子空穴复合，提升电池开路电压及短路电流。在工艺方面，TOPCon技术只需要增加薄膜沉积设备，能很好地与目前量产工艺兼容。同时TOPCon电池还具有进一步提升转换效率的空间，有望成为下一代产业化N型高效电池的切入点。根据理论计算，钝化接触太阳能电池的潜在效率（28.7%）最接近晶体硅太阳能电池理论极限效率（29.43%）。与PERC电池类似的是，TOPCon电池也在背面采用了钝化接触结构，增强了电池性能。而且在工艺方面，TOPCon电池以较小的成本获得了较大的效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层、硼掺杂氧化硅层、二氧化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层、硼掺杂氧化硅层、二氧化硅层。


2.根据权利要求1所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：氮化硅层的厚度为70-80nm，折射率为2.1-2.3。


3.根据权利要求2所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：硼掺杂氧化硅层的厚度为50-100nm。


4.根据权利要求3所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：二氧化硅层的厚度为3-5nm，折射率为1.5-1.7。


5.一种权利要求1所述的新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺，其特征在于：该P型晶硅TOPCon电池背面的制备工艺为
步骤一、采用PECVD的方式，沉积二氧化硅层，氧源为笑气，压力为1800-2000mTorr,温度450-500℃，功率为5000-8000W,脉冲开关比为1:20，所通笑气流量为4000-8000sccm,时间为50-100s；；
步骤二、采用P...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞飞，赵科巍，张云鹏，郭丽，李雪方，杜泽霖，李陈阳，梁玲，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14