【技术实现步骤摘要】
一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法
本专利技术涉及一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，属于半导体纳米材料及器件领域。
技术介绍
在现代集成电路中，由于p沟道晶体管的载流子迁移率往往低于n沟道晶体管，制约了芯片进一步小型化的发展，因此，研究p型场效应晶体管空穴迁移率提高的方法至关重要。上述元器件的载流子迁移率主要取决于器件的制造技术和沟道半导体材料。在器件制造技术方面，使用更洁净的衬底，可以将石墨烯场效应晶体管的电子迁移率提升四倍(Do-HyunPark,etal.2019,Theevolutionofsurfacecleannessandelectronicpropertiesofgraphenefield-effecttransistorsduringmechanicalcleaningwithatomicforcemicroscopy,Nanotechnology,30,394003)。另外，元器件的载流子迁移率可以通过改善沟道材料的结晶度、生长面、载流子有效质量和浓度等方法调节。例如，高结晶度的黑磷薄膜基场...
【技术保护点】
1.一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述p型场效应晶体管包括p型硅作为底栅电极、Si/SiO
【技术特征摘要】
1.一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述p型场效应晶体管包括p型硅作为底栅电极、Si/SiO2衬底上的源极和漏极、源极和漏极之间由GaSb纳米线材料组成的沟道，所述的GaSb纳米线掺杂有锡，沟道GaSb纳米线表面沉积低功函的金属颗粒，用于形成金属/半导体接触，以降低p型沟道半导体中载流子浓度。
2.根据权利要求1所述的提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述的沟道GaSb纳米线表面沉积的低功函金属颗粒为铝、锡或钛颗粒。
3.根据权利要求1所述的提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述的沉积低功函的金属颗粒的厚度为0.1-2纳米。
4.根据权利要求1所述的提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述的锡掺杂GaSb纳米线直径为30-50纳米，长度≥10微米，纳米线表面光滑。
5.根据权利要求1所述的提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，其特征在于，所述的源...
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