MOSFET的制作方法及MOSFET技术

本申请公开了一种MOSFET的制作方法及MOSFET，该方法包括：在衬底上形成栅氧层，衬底包括硅，栅氧层包括二氧化硅；在栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成MOSFET的栅极；对栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；进行SD注入，在栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；其中，在栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至栅氧和衬底的界面处。本申请通过在形成多晶硅层之后进行氟离子注入使氟元素扩散至栅极和衬底的界面，从而使氟元素取代界面的部分氢元素，使氟元素取代界面的部分氢元素，减弱了NBTI效应或HCI效应。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET的制作方法及MOSFET
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，MOSFET)的制作方法及MOSFET。
技术介绍
MOSFET(以下简称“MOS”)是一种广泛使用于模拟电路与数字电路中的电子器件。基于其载流子极性的不同，MOS可分为“P型”和“N型”两种，可分别简称为PMOS和NMOS。负偏压温度不稳定性(negativebiastemperatureinstability，NBTI)效应是指在高温下对PMOS施加负偏压而引起的一系列电学参数的退化，从而导致PMOS易失效，可靠性较低。参考图1，其示出了PMOS的NBTI效应的机理图，如图1所示，PMOS的栅氧(gateoxide，GOX，其包含二氧化硅SiO2)-衬底(其包含硅Si)界面形成有硅-氢(H)键，当PMOS处于负偏压下，在垂直电场的作用下，空穴被吸引到界面处弱化了Si-H键从而导致氢脱离了硅-氢键扩散到衬底的硅中，形成界面陷阱(D本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成栅氧层，所述衬底包括硅，所述栅氧层包括二氧化硅；/n在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层；/n通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成所述MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成所述MOSFET的栅极；/n对所述栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；/n进行SD注入，在所述栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；/n其中，在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至所述栅氧和所述衬底的界面处。/n

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成栅氧层，所述衬底包括硅，所述栅氧层包括二氧化硅；
在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层；
通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成所述MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层形成所述MOSFET的栅极；
对所述栅极两侧的衬底进行LDD注入，分别形成第一LDD区和第二LDD区；
进行SD注入，在所述栅极两侧的衬底中分别形成源极和漏极；
其中，在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层之后的任一步骤之前，进行氟离子注入使氟元素扩散至所述栅氧和所述衬底的界面处。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟离子注入在所述栅氧层上沉积形成多晶硅层之后，且在对所述栅极两侧的衬底进行LDD注入之前。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氟离子注入的能量为10千电子伏特至100千电子伏特。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氟离子注入的剂量为1×1014每平方厘米至1×1016每平方厘米。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层的过程中的温度大于700摄氏度。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟离子注入在对所述栅极两侧的衬底进行LDD注入之后，且在进行SD注入之前。


7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氟离子注入在进行SD...

【专利技术属性】
技术研发人员：方明旭，陈瑜，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32