温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种MOSFET的制作方法及MOSFET，该方法包括：在衬底上形成栅氧层，衬底包括硅，栅氧层包括二氧化硅；在栅氧层上沉积形成多晶硅层；通过干法刻蚀去除目标区域的多晶硅层和栅氧层，剩余的栅氧层形成MOSFET的栅氧，剩余的多晶硅层...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。