半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及半导体装置的制造方法。在半导体装置中形成源极/漏极区域的方法，以及包括以该方法形成的源极/漏极区域的半导体装置。在一实施例中，方法包括蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽，半导体鳍片定义第一凹槽的侧壁及底部表面，半导体鳍片在第一方向上延伸；在第一凹槽中形成包括单一连续材料的源极/漏极区域，单一连续材料自第一凹槽的底部表面延伸至高于半导体鳍片的顶部表面，形成源极/漏极区域的前驱物气体包括磷化氢(PH

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本公开涉及一种半导体装置，特别涉及一种以低扩散率掺杂物掺杂的半导体装置。
技术介绍
半导体装置被用于各种电子应用中，例如个人电脑、移动电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置通常经由下列方式制造：在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层、以及半导体层的材料，以及使用微影图案化各种材料层以在其上形成电路组件与元件。半导体工业持续地通过不断降低最小特征尺寸以改进各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，这允许在给定的面积中整合更多的组件。然而，随着最小特征尺寸的降低，出现了需要被解决的其他问题。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法。上述方法包括蚀刻一半导体鳍片以形成第一凹槽，上述半导体鳍片定义第一凹槽的多个侧壁及底部表面，上述半导体鳍片在第一方向上延伸；在第一凹槽中形成源极/漏极区域，源极/漏极区域包括单一连续材料，单一连续材料自第一凹槽的底部表面延伸至高于上述半导体鳍片的顶部表面，用于形成源极/漏极区域的前驱物气体包括磷化氢(PH3)，以及包括砷化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n蚀刻一半导体鳍片以形成一第一凹槽，上述半导体鳍片定义上述第一凹槽的多个侧壁及一底部表面，上述半导体鳍片在一第一方向上延伸；/n在上述第一凹槽中形成一源极/漏极区域，上述源极/漏极区域包括一单一连续材料，上述单一连续材料自上述第一凹槽的底部表面延伸至高于上述半导体鳍片的顶部表面，用于形成上述源极/漏极区域的一前驱物气体包括磷化氢，以及包括砷化氢或单甲基硅甲烷中的至少一者；以及/n在相邻于上述源极/漏极区域的上述半导体鳍片上形成一栅极，上述栅极在垂直于上述第一方向的一第二方向上延伸。/n

【技术特征摘要】
20190531 US 16/427,9811.一种半导体装置的制造方法，包括：
蚀刻一半导体鳍片以形成一第一凹槽，上述半导体鳍片定义上述第一凹槽的多个侧壁及一底部表面，上述半导体鳍片在一第一方向上延伸；
在上述第一凹槽中形成一源极/漏极区域，上述源极/漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：林资敬，吴卓斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71