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本公开涉及半导体装置的制造方法。在半导体装置中形成源极/漏极区域的方法，以及包括以该方法形成的源极/漏极区域的半导体装置。在一实施例中，方法包括蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽，半导体鳍片定义第一凹槽的侧壁及底部表面，半导体鳍片在第一方向上延伸...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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