一种沟槽MOSFET的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽MOSFET的制作方法，所述制作方法如下：在衬底的上表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽；采用高温氧化的工艺方法在沟槽的表面生长栅氧化层，然后淀积多晶硅；去除掉沟槽之外的多晶硅，然后在外延层的表层之中注入硼原子，以及对预设区域的外延层的表层之中注入砷原子或(和)锑原子；高温退火形成P型扩散区和N型扩散区，且N型扩散区位于P型扩散区的表层之中；本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术减少了高温处理工艺，从而减小了高温处理工艺过程中衬底中的掺杂物质向外延层中的扩散，因此可以得到比现有技术更高的击穿电压，或在实现同样击穿电压的情况下可以得到更小的单位面积导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽MOSFET的制作方法
本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种沟槽MOSFET的制作方法。
技术介绍
MOSFET芯片是一种分立器件，属于半导体功率器件范畴，与集成电路同属于半导体芯片领域，MOSFET的最关键指标参数包括击穿电压(特指漏源击穿电压)、导通电阻和阈值电压(口语中也称之为开启电压)，通常情况下，击穿电压越大越好，导通电阻越小越好。为实现其标称的击穿电压，MOSFET芯片内部结构中都采用特定电阻率、特定厚度的外延层来承压，通常所需实现的击穿电压越高，外延层的电阻率或(和)厚度也就越大，芯片的单位面积的导通电阻随之也越大，所以说，单位面积的导通电阻与击穿电压是一对互为矛盾的参数；最大程度的减小MOSFET芯片的导通电阻，是芯片研发工程师最重要的工作之一，为减小MOSFET芯片的导通电阻，最直接的方法是增大芯片的面积，但这种方法也最直接的增加了芯片的成本，所以说，最大程度的改善单位面积的导通电阻，才是芯片研发工程师的职责所在。按照其标称的击穿电压，可将MOSFET芯片分类为低压MOSFET、中压MOSFET和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述制作方法如下：/n步骤一：在衬底(1)的上表面生长外延层(2)；/n步骤二：在外延层(2)之中形成沟槽(4)；/n步骤三：采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长栅氧化层(5)，然后淀积多晶硅(6)；/n步骤四：去除掉沟槽(4)之外的多晶硅(6)，然后在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)，以及对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)；/n步骤五：高温退火形成P型扩散区(8)和N型扩散区(9)，且N型扩散区(9)位于P型扩散区(8)的表层之中。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述制作方法如下：
步骤一：在衬底(1)的上表面生长外延层(2)；
步骤二：在外延层(2)之中形成沟槽(4)；
步骤三：采用高温氧化的工艺方法在沟槽(4)的表面生长栅氧化层(5)，然后淀积多晶硅(6)；
步骤四：去除掉沟槽(4)之外的多晶硅(6)，然后在外延层(2)的表层之中注入硼原子(11)，以及对预设区域的外延层(2)的表层之中注入砷原子或(和)锑原子(12)；
步骤五：高温退火形成P型扩散区(8)和N型扩散区(9)，且N型扩散区(9)位于P型扩散区(8)的表层之中。


2.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其特征在于：高温退火形成P型扩散区(8)和N型扩散区(9)，具体如下：
高温退火的的工艺温度为900-1000摄氏度，工艺时间为10-50分钟；
所述硼原子(11)经高温退火之后形成P型扩散区(8)，且P型扩散区(8)的深度小于沟槽(4)的深度；
所述砷原子或(和)锑原子(12)经高温退火之后形成N型扩散区(9)，且N型扩散区(9)的深度为P型扩散区(8)的深度的1/6至1/3。


3.根据权利要求1所述的一种沟槽MOSFET的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘光燃，胡瞳腾，
申请(专利权)人：深圳市芯电元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44