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本发明公开了一种沟槽MOSFET的制作方法，所述制作方法如下：在衬底的上表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽；采用高温氧化的工艺方法在沟槽的表面生长栅氧化层，然后淀积多晶硅；去除掉沟槽之外的多晶硅，然后在外延层的表层之中注入硼原子，以及对预...
该专利属于深圳市芯电元科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯电元科技有限公司授权不得商用。

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