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本发明涉及一种提高p型场效应晶体管空穴迁移率的方法，有助于改善目前集成电路中p沟道晶体管元器件载流子迁移率较低，无法与n沟道晶体管迁移率相匹配的现状。本发明利用金属‑半导体异质结降低沟道半导体中载流子浓度，从而提高元器件的载流子迁移率。本发...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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