基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备制造技术

本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用；所述第一结构为可通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率，可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束，能有效拓宽光源的可选择性。

【技术实现步骤摘要】
基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备
本申请涉及光控晶闸管
，特别涉及一种基于表面等离激元的光控晶闸管、制作方法及电子设备。
技术介绍
电力电子技术发展至今，从第一只硅基晶闸管诞生到如今以宽禁带半导体材料SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO(氧化锌)等为基础的第三代电力电子器件如MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)等层出不穷；器件性能愈发优良，应用领域也愈发宽泛。但是，早期问世的晶闸管仍在高压直流输电、电机驱动等一些场合处于诸如MOSFET、IGBT等器件无可取代的地位。目前，市面上各种类型的晶闸管还是以硅基材料为主，但由于SiC材料在耐压、耐高温、耐辐射、高频高速等方面的性能明显优于Si材料，故SiC基晶闸管逐渐成为一种研究趋势。另外，晶闸管的触发方式有电触发和光触发，后者较前者而言，不仅保证了主电路和控制电路之间的绝缘，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于表面等离激元的光控晶闸管，其特征在于：包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用；所述第一结构为能通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构；所述第一结构为带有孔洞的结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于表面等离激元的光控晶闸管，其特征在于：包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用；所述第一结构为能通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构；所述第一结构为带有孔洞的结构。


2.根据权利要求1所述光控晶闸管，其特征在于：所述第一结构位于所述光控端的PN结低掺杂侧；或者所述第一结构从所述光控端的PN结低掺杂侧跨结到高掺杂侧。


3.根据权利要求1所述光控晶闸管，其特征在于：所述第一结构位于所述光控端的具有倾斜角度的结构上；所述具有倾斜角度的结构的具体形式包括斜面、曲面和沟槽。


4.根据权利要求1所述光控晶闸管，其特征在于：所述第一结构位于所述光控晶闸管的阳极基区和/或阴极基区上。


5.根据权利要求1所述光控晶闸管，其特征在于：所述第一结构为金属结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：方慧风，和巍巍，汪之涵，张振中，孙军，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44