适用于太阳能电池的硅片及太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于太阳能电池的硅片，所述硅片包括本体以及位于所述本体相对两面的正面和背面，所述硅片的正面包括用于接收光线的接收区以及用于印刷栅线的栅线区，所述接收区内设置有凹坑，所述凹坑用于降低所述硅片的反射率。本实用新型专利技术的适用于太阳能电池的硅片，硅片的正面包括具有凹坑的接收区以及没有凹坑的栅线区，后续制备得到的电池片中的接收区用于接收光线，且由于凹坑的存在，反射率降低，能够使得更多的光线被电池片接收；而栅线区较为平坦，后续将表面金属化栅线铺在平坦区域，金属化栅线粗细厚度均匀，既节约了金属用量，又保持了较小的栅线电阻，保证了硅片与栅线之间的有效连接，保证了电流导通。本实用新型专利技术还提供了一种如上所述的硅片制备得到的太阳能电池片。

【技术实现步骤摘要】
适用于太阳能电池的硅片及太阳能电池片
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种适用于太阳能电池的硅片以及由该硅片制备得到的太阳能电池片。
技术介绍
太阳能发电技术是基于半导体“光生伏特效应”将光转化为电的一种新能源技术，且由于其清洁、可再生、应用范围广等特点受到了大家的青睐，而太阳能电池片是整个发电系统的核心部件。太阳能电池的原理为“光生伏特”效应，入射光的比例直接影响电池片的输出效率，所以降低电池片表面的反射率是最直接的提升电池片转换效率的方法。在晶体硅片上实现粗糙表面，可以减少入射光的反射，增加入射光的利用率。利用脉冲激光扫描硅片表面，能够快速将硅片表面形成具有粗糙度的凹坑绒面。相比化学制绒，激光制绒具有更低的反射率优势。但是当激光制备的凹坑的顶部与底部高度差过大时，在其表面上制作的金属化栅线宽度及厚度不均匀，不但增加了金属用量，而且增加了栅线电阻，影响了电流导通，如图1所示。
技术实现思路
有鉴于此，为了克服现有技术的缺陷，本技术的目的是提供一种改进的适用于太阳能电池的硅片，该硅片结构能够有效改善激光处理后硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于太阳能电池的硅片，其特征在于，所述硅片包括本体以及位于所述本体相对两面的正面和背面，所述硅片的正面包括用于接收光线的接收区以及用于印刷栅线的栅线区，所述接收区内设置有凹坑，所述凹坑用于降低所述硅片的反射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于太阳能电池的硅片，其特征在于，所述硅片包括本体以及位于所述本体相对两面的正面和背面，所述硅片的正面包括用于接收光线的接收区以及用于印刷栅线的栅线区，所述接收区内设置有凹坑，所述凹坑用于降低所述硅片的反射率。


2.根据权利要求1所述的硅片，其特征在于，所述凹坑规则地分布在所述接收区内。


3.根据权利要求1或2所述的硅片，其特征在于，所述凹坑的直径为10～100μm，所述凹坑的深度为1～20μm，同一个接收区内相邻所述凹坑之间的距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁建明，崔俊虎，袁地春，崔钟亨，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32