快速恢复反向半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内；所述第一金属引线的焊接端进一步包括第一端面板和位于第一端面板表面间隔分布的若干个第一凸柱，所述第一金属引线的第一端面板、第一凸柱与二极管芯片的凸起端通过第一焊片层连接；所述第一金属引线、第二金属引线各自的中部具有一凸缘板，此凸缘板沿周向间隔地开有若干个通孔。本实用新型专利技术快速恢复反向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。

【技术实现步骤摘要】
快速恢复反向半导体器件
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种快速恢复反向半导体器件。
技术介绍
电力电子器件是一种能够实现电能高效率应用和精确控制的电力半导体器件，是电力电子技术的基础。日益严重的能源和环境问题使得人们对电能的变换效率、品质愈来愈关注，也引导了功率器件沿着高效率、高频率、高耐压、高功率、集成化、智能化等方向迅速发展。在许多工作条件下，这些器件需要一个与之反并联的二极管以提供续流通道，减少电容的充放电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种快速恢复反向半导体器件，该快速恢复反向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并有效避免了水汽的进入器件内部，提高了耐气候性。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种快速恢复反向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速恢复反向半导体器件，其特征在于：包括：二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3），所述二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）位于环氧封装体（6）内，此第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自引脚端（5）分别从环氧封装体（6）两侧延伸出，所述二极管芯片（1）具有玻璃钝化层（11）的一端为凸起端，另一端为平面端；/n所述第一金属引线（2）的焊接端（4）进一步包括第一端面板（81）和位于第一端面板（81）表面间隔分布的若干个第一凸柱（91），所述第一金属引线（2）的第一端面板（81）、第一凸柱（91）与二极管芯片（1）的凸起端通过第一焊...

【技术特征摘要】
1.一种快速恢复反向半导体器件，其特征在于：包括：二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3），所述二极管芯片（1）、第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自的焊接端（4）位于环氧封装体（6）内，此第一金属引线（2）和第二金属引线（3）各自引脚端（5）分别从环氧封装体（6）两侧延伸出，所述二极管芯片（1）具有玻璃钝化层（11）的一端为凸起端，另一端为平面端；
所述第一金属引线（2）的焊接端（4）进一步包括第一端面板（81）和位于第一端面板（81）表面间隔分布的若干个第一凸柱（91），所述第一金属引线（2）的第一端面板（81）、第一凸柱（91）与二极管芯片（1）的凸起端通过第一焊片层（71）连接；
所述第二金属引线（3）的焊接端（4）进一步包括第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：张开航，马云洋，
申请(专利权)人：苏州秦绿电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32