一种用于硅片钝化的设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于硅片钝化的设备，包括双滚轮机构和密封机构；其中，所述双滚轮机构利用设定间距的双滚轮对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋的两个面同时进行滚碾，所述密封机构依照所述待测硅片样品的形状对经过滚碾的塑封袋中的待测硅片样品进行密封。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅片钝化的设备
本技术涉及半导体生产
，尤其涉及一种用于硅片钝化的设备。
技术介绍
少数载流子寿命（MinorityCarrierLifetime），又可被简称为少子寿命，指的是硅片中少数载流子的平均生存时间，是半导体材料和器件的重要参数，直接反映了硅片在制造流程中表面缺陷、表面金属污染等状况，因此，获得准确的少子寿命值对于半导体器件的制作具有重要意义。当前，微波光电导衰退法（μ-PCD，MicrowavePhoto-ConductanceDecay）较为广泛地应用于测量硅片少子寿命。简单来说，微波光电导衰退法是利用大于硅禁带宽度的脉冲激光对硅片表面进行照射，产生的空穴-电子能够增大其光电导率，随着激光的撤除，光电导率呈指数衰退，利用微波反射强度的变化探测光电导率的变化，从而得出少子的寿命。但是由于硅片表面存在的悬挂键会成为有效的复合中心，导致通过测量所得到的少子寿命并不是真实的硅片少子寿命。也就是说，通过μ-PCD法所测量得到的数据是硅片实际少子寿命和表面复合共同影响所形成的；具体来说，在样品一定的情况下，样品表面复合速率越大，则测试所得少子寿命值与硅片实际的少子寿命值的偏差会越大。为了减小表面复合对测量结果的影响，从而能够更准确地测量到硅片的少子寿命，通常需要在测量之前对硅片表面进行化学钝化处理。简要来说，化学钝化处理期望能够利用H或卤素元素对硅片表面悬挂键进行饱和，通过降低硅片表面复合速率的方式降低μ-PCD法所测量得到的数据与硅片实际少子寿命值的偏差。目前，化学钝化处理过程中，通常会在硅片表面通过涂抹或涂覆含H或卤素元素的钝化液的方式形成溶液薄膜以达到钝化的目的。但是，如果涂抹或涂覆不均匀，导致溶液薄膜厚度差异较大，硅片表面复合速率就会出现差异，从而造成少子寿命的测量值出现偏差。基于此，在利用μ-PCD法测量硅片少子寿命之前的化学钝化处理阶段，需要将钝化液均匀地涂抹或涂覆在待测硅片表面。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例期望提供一种用于硅片钝化的设备，能够将钝化液均匀地涂抹或涂覆在待测硅片表面，期望通过降低溶液薄膜厚度差异较大所产生的少子寿命的测量值的偏差，提高少子寿命测量值的准确度。本技术的技术方案是这样实现的：本技术实施例提供了一种用于硅片钝化的设备，所述设备包括双滚轮机构和密封机构；其中，所述双滚轮机构利用设定间距的双滚轮对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋的两个面同时进行滚碾，所述密封机构依照所述待测硅片样品的形状对经过滚碾的塑封袋中的待测硅片样品进行密封。在上述方案中，所述双滚轮机构包括：第一传送带、第二传送带以及沿竖直方向按照设定间距固定且具有相反滚动方向的一对滚碾滚轮；其中，所述第一传送带用于将所述装有所述待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋传送至所述滚碾滚轮对进行滚碾；所述第二传送带用于将完成滚碾的塑封袋传送至所述密封机构；所述滚碾滚轮对中位于下方的下滚轮的滚动方向与所述第一传送带的传送方向相同，所述滚碾滚轮对中位于上方的上滚轮的滚动方向与所述下滚轮的滚动方向相反，以使得所述滚碾滚轮对的滚碾方向与所述第一传送带的传送方向以及所述第二传送带的传送方向一致；并且所述滚碾滚轮对按照由袋底至袋口的顺序对所述装有所述待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋进行滚碾。在上述方案中，所述双滚轮机构还包括对向设置的固定基座，所述滚碾滚轮对沿竖直方向设置于所述固定基座上且每个滚碾滚轮能够被水平固定。在上述方案中，所述固定基座外侧设置有竖直方向的导轨，所述滚碾滚轮对中的上滚碾滚轮通过调节螺丝固定于所述固定基座上，通过调节所述调节螺丝在所述导轨中的位置高度，以使得所述滚碾滚轮对之间的间距T在设定的范围内变化。在上述方案中，所述导轨上还设置用于标识高度的刻度以明确指示所述滚碾滚轮对之间的间距。在上述方案中，所述滚碾滚轮对之间的间距为所述待测硅片样品厚度、所述塑封袋厚度以及所述钝化液薄膜厚度之和。在上述方案中，所述设备还包括在所述第一传送带处设置的钝化液回收台，所述钝化液回收台用于将滚碾过程中由塑封袋袋口流出的钝化液进行回收，用于对后续待测硅片样品进行钝化。在上述方案中，所述密封机构包括具有热线的密封器，能够按照塑封袋中所装有的待测硅片样品的形状进行密封以形成密封线，从而维持所述待测硅片样品表面所涂覆的均匀厚度的钝化液薄膜。在上述方案中，所述钝化液包括将碘和甲醇按设定比率混合后所制造的碘甲醇溶液、使用氧化力强的卤素族元素和乙醇（Ethanol）或甲醇（Methanol）按照设定比率混合的溶液。在上述方案中，所述塑封袋包括透明的聚乙烯袋或者聚丙烯袋。本技术实施例提供了一种用于硅片钝化的设备，包括双滚轮机构和密封机构；当待测硅片样品装入塑封袋且在袋中注入钝化液之后，双滚轮机构通过双滚轮将塑封袋的两个面同时进行滚碾，不仅能够去除塑封袋中残留的气泡，而且还能够使得钝化液均匀地涂覆于待测硅片样品表面形成均匀的钝化液薄膜，如此，当滚碾完的塑封袋在经过密封机构密封之后，利用μ-PCD法对待测硅片样品中少子寿命进行测量的过程中，可以降低由于钝化液薄膜厚度差异较大所产生的少子寿命的测量值的偏差，提高少子寿命测量值的准确度。附图说明图1为本技术实施例提供的一种用于硅片钝化的设备组成示意图。图2为本技术实施例提供的待测硅片样品装入塑封袋的示意图。图3为本技术实施例提供的在塑封袋中注入钝化液的示意图。图4为本技术实施例提供的一种双滚轮机构的组成示意图。图5为本技术实施例提供的对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋进行滚碾的示意图。图6为本技术实施例提供的一种双滚轮机构的结构示意图。图7为本技术实施例提供的另一种双滚轮机构的结构示意图。图8为本技术实施例提供的又一种双滚轮机构的结构示意图。图9为本技术实施例提供的对密封袋进行密封的示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。为了能够在利用μ-PCD法测量硅片少子寿命之前的化学钝化处理阶段，将钝化液均匀地涂抹或涂覆在待测硅片表面，参见图1，其示出了本技术实施例提供的一种用于硅片钝化的设备1，该设备1可以包括双滚轮机构11和密封机构12；其中，双滚轮机构11利用设定间距的双滚轮对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋的两个面同时进行滚碾，密封机构12依照所述待测硅片样品的形状对经过滚碾的塑封袋中的待测硅片样品进行密封。需要说明的是，当待测硅片样品装入塑封袋且在袋中注入钝化液之后，双滚轮机构11通过双本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅片钝化的设备，其特征在于，所述设备包括双滚轮机构和密封机构；其中，所述双滚轮机构利用设定间距的双滚轮对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋的两个面同时进行滚碾，所述密封机构依照所述待测硅片样品的形状对经过滚碾的塑封袋中的待测硅片样品进行密封。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于硅片钝化的设备，其特征在于，所述设备包括双滚轮机构和密封机构；其中，所述双滚轮机构利用设定间距的双滚轮对装有待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋的两个面同时进行滚碾，所述密封机构依照所述待测硅片样品的形状对经过滚碾的塑封袋中的待测硅片样品进行密封。


2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述双滚轮机构包括：第一传送带、第二传送带以及沿竖直方向按照设定间距固定且具有相反滚动方向的一对滚碾滚轮；其中，所述第一传送带用于将所述装有所述待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋传送至所述滚碾滚轮对进行滚碾；所述第二传送带用于将完成滚碾的塑封袋传送至所述密封机构；所述滚碾滚轮对中位于下方的下滚轮的滚动方向与所述第一传送带的传送方向相同，所述滚碾滚轮对中位于上方的上滚轮的滚动方向与所述下滚轮的滚动方向相反，以使得所述滚碾滚轮对的滚碾方向与所述第一传送带的传送方向以及所述第二传送带的传送方向一致；并且所述滚碾滚轮对按照由袋底至袋口的顺序对所述装有所述待测硅片样品且注入钝化液的塑封袋进行滚碾。


3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述双滚轮机构还包括对向设置的固定基座，所述滚碾滚轮对沿竖直方向设置于所述固定基座上且每个滚碾滚轮能够被水平固定。


4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述固定基座外侧设置有竖直方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：金铉洙，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61