极化电子发射源及自旋极化扫描隧道显微镜制造技术

本发明专利技术涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构；该Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或／和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。本发明专利技术还提供一种采用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构作为探针的自旋极化电子扫描隧道显微镜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种极化电子发射源以及采用该种极化电子发射源的自旋电子器件。
技术介绍
自旋电子器件是一种利用电子电荷和电子自旋共同作为信息载体的新型器件；其中，自旋极化扫描隧道显微镜是一种可用于测量表面磁结构，空间分辨率可达原子尺寸的自旋电子器件。自旋极化扫描隧道显微镜的基本原理是利用量子隧道效应，当在其探针与待测样品之间(探针与待测样品的距离通常为0.1～10纳米)施加电压时，通过探针扫描待测样品表面可在探针与待测样品表面之间形成表征待测样品表面磁结构的隧道电流。其中，探针作为自旋扫描隧道显微镜的极化电子发射端或感测端。对于实际应用中的自旋电子器件，其关键在于获取能在室温条件下实现连续及高效率自旋极化电子束发射的极化电子发射源。现有技术中揭露一种极化电子发射源，其包括微型钨针尖(直径约为1微米)以及形成在钨针尖表面的铁磁性薄膜如，铁、镍或其合金膜。其中，该铁磁性薄膜具有纳米级厚度(小于100纳米)。当将该钨针尖置于磁场中并在其上施加负偏压时，该极化电子发射源因磁场诱导及电场激发可产生极化电子束，该极化电子束中的电子自旋方向与所施加磁场方向平行。然而，该种极化电子发射源的操作温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极化电子发射源，其包括一个电极；其特征在于，还包括位于该电极上的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构；该Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加负偏压，经由磁场诱导或／和圆偏振光激发可使该一维纳米结构的第二端发射极化电子束。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段文晖，郝少刚，周刚，吴健，顾秉林，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]