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本发明涉及一种极化电子发射源。该种极化电子发射源通常包括电极以及位于该电极上的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构；该Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体一维纳米结构包括与电极形成电连接的第一端以及远离该电极的第二端，该第二端作为极化电子发射端；当向该电极施加...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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