W-Ti溅射靶制造技术

本发明专利技术所涉及的W‑Ti溅射靶的特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】W-Ti溅射靶
本专利技术涉及一种用于形成W-Ti膜的W-Ti溅射靶。本申请主张基于2018年11月6日于日本申请的专利申请2018-208952号的优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
以往，在将半导体芯片安装到基板上时，例如在Al电极或Cu电极上形成Au凸点或焊锡凸点等。例如，在使Al电极与Au凸点直接接触的情况下，Al和Au相互扩散而导致形成Al和Au的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。并且，例如在使Cu电极与焊锡凸点直接接触的情况下，Cu和焊锡中的Sn相互扩散而导致形成Cu和Sn的金属间化合物，有可能使电阻上升或者密合性下降。因此，例如使用专利文献1、专利文献2中所公开的W-Ti溅射靶在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防止元素相互扩散的防扩散层。在专利文献1、专利文献2中所记载的W-Ti溅射靶分别通过粉末烧结法来制造。在接地电极与凸点之间形成W-Ti膜来作为防扩散层时，在接地电极的整个面上形成W-Ti膜之后形成凸点，并且通过蚀刻去除没有形成凸点的区域的W-Ti膜。但是，该W-T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种W-Ti溅射靶，其特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181106 JP 2018-2089521.一种W-Ti溅射靶，其特征在于，具有如下组成：含有5质量％以上且20质量％以下的范围内的Ti、25质量ppm以上且100质量ppm以下的范围内的Fe及5质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内的Cr，并且其余部分由W及不可避免的杂质组成。


2.根据权利要求1所述的W-Ti溅射靶，其特征在于，还含有1质量ppm以上且15质量pp...

【专利技术属性】
技术研发人员：木内香歩，斋藤淳，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP