铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法技术

本发明专利技术涉及：边抑制铜布线的侧蚀刻的发生、边能对铜箔进行蚀刻的铜箔用蚀刻液和使用其的铜箔的蚀刻方法和印刷电路板的制造方法。另外，本发明专利技术涉及：边抑制电解铜层的侧蚀刻的发生、边能对电解铜层进行蚀刻的电解铜层用蚀刻液和使用其的电解铜层的蚀刻方法和铜柱的制造方法。本发明专利技术的蚀刻液的特征在于，含有：过氧化氢(A)、硫酸(B)、和选自由5‑氨基‑1H‑四唑、1,5‑五亚甲基四唑和2‑正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，所述蚀刻液实质上不含有磷酸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法以及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法
本专利技术涉及铜箔用蚀刻液和使用其的印刷电路板的制造方法。另外，本专利技术涉及电解铜层用蚀刻液和使用其的铜柱的制造方法。
技术介绍
印刷电路板中，形成铜布线时，作为铜布线的微细化法之一，已知有无芯基板(EmbeddedTraceSubstrate)工艺(以下，称为“ETS工艺”)(专利文献1和2)。ETS工艺中，铜布线宽度的减少较少，能实现微细布线的形成。然而，ETS工艺中，在铜箔蚀刻时，有时产生沿着层间绝缘树脂的侧壁的铜布线的蚀刻(侧蚀刻)，其为问题(专利文献3)。另外，半导体封装体的制造中，作为半导体芯片与封装体中介层或半导体元件搭载用封装体基板的连接方式即倒装芯片安装的连接端子，已知有能应对更窄的间距的铜柱(也称为“Cupost”或“Cubump”)代替以往的焊料凸块。作为铜柱的制造方法，已知有如下工艺：在想要形成铜柱的基板上形成抗蚀图案，在抗蚀图案的间隙由电解镀铜形成。该工艺中，有如下工序：由电解镀铜形成电解铜层后，通常对电解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜箔用蚀刻液，其含有：/n过氧化氢(A)、/n硫酸(B)、以及/n选自由5-氨基-1H-四唑、1,5-五亚甲基四唑和2-正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，/n过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，/n唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，/n所述铜箔用蚀刻液实质上不含有磷酸。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180424 JP 2018-0831871.一种铜箔用蚀刻液，其含有：
过氧化氢(A)、
硫酸(B)、以及
选自由5-氨基-1H-四唑、1,5-五亚甲基四唑和2-正十一烷基咪唑组成的组中的至少1种唑化合物(C)，
过氧化氢(A)相对于硫酸(B)的摩尔比处于6～30的范围内，
唑化合物(C)的浓度处于0.001～0.01质量％的范围内，
所述铜箔用蚀刻液实质上不含有磷酸。


2.根据权利要求1所述的铜箔用蚀刻液，其中，过氧化氢(A)的浓度处于0.5～20质量％的范围内。


3.根据权利要求1或2所述的铜箔用蚀刻液，其中，硫酸(B)的浓度处于0.3～5质量％的范围内。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的铜箔用蚀刻液，其用于在无芯基板工艺(ETS工艺)中对铜箔进行蚀刻。


5.一种铜箔的蚀刻方法，其包括如下步骤：在无芯基板工艺(ETS工艺)中，使用权利要求1～3中任一项所述的蚀刻液对铜箔进行蚀刻。


6.一种印刷电路板的制造方法，其包括如下步骤：在无芯基板工艺(ETS工艺)中，使用权利要求1～3中...

【专利技术属性】
技术研发人员：瀬户一彰，玉井聪，松永裕嗣，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP