一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法技术

本发明专利技术属于核技术应用技术领域，公开了一种氘化聚乙烯((CD

【技术实现步骤摘要】
一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法
本专利技术属于核技术应用
，具体涉及一种氘化聚乙烯((CD2)n)纳米线阵列靶的制备方法。
技术介绍
靶的制备方法很多，包括化学气相沉积、物理气相沉积、轧制法等。目前核物理研究中需要制备一种氘化聚乙烯((CD2)n)纳米线阵列靶，现有公开报道中尚未见此报道，因此急需一种能够制备该阵列靶的方法。
技术实现思路
(一)专利技术目的为了能够制备氘化聚乙烯((CD2)n)纳米线阵列靶，本公开提供了一种排列整齐、均匀性好、纳米线表面平整光洁、方法重复性好的制备方法。(二)技术方案为了解决现有技术所存在的问题，本公开采用两步法制备(CD2)n纳米线阵列靶，其提供的技术方案如下：一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法，该方法是先采用溶解—聚合法制备(CD2)n平面靶，然后通过热挤压—蚀刻法将(CD2)n平面靶蚀刻在所需纳米阵列的模具中。优选地，一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)溶解—聚合法制备(CD2)n平面靶a本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法，其特征在于，该方法是先采用溶解—聚合法制备平面靶，然后通过热挤压—蚀刻法将(CD

【技术特征摘要】
1.一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法，其特征在于，该方法是先采用溶解—聚合法制备平面靶，然后通过热挤压—蚀刻法将(CD2)n平面靶蚀刻在所需纳米阵列的模具中。


2.根据权利要求1所述的一种氘化聚乙烯纳米线阵列靶的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)溶解—聚合法制备(CD2)n平面靶
a、将(CD2)n材料及二甲苯溶液置入容器中，并在加热过程中搅拌；
b、待(CD2)n全部溶解并形成胶状悬浊液后，置入平底石英玻璃器皿中；
c：将步骤b得到的石英玻璃器皿放置在平台上，对石英玻璃器皿内的胶状悬浊液均匀加热至二甲苯充分挥发，且(CD2)n在二甲苯的过饱和气氛中充分聚合；
d：二甲苯溶液挥发完全后，在石英器皿底部表面形成均匀的(CD2)n平面靶膜，将该平面靶膜从器皿底部剥离即可得到(CD2)n平面靶膜；
(2)热挤压—蚀刻法制备(CD2)n纳米线阵列靶
e：将材质为氧化铝的阵列靶模具放置在表面平整的底座上；所述阵列靶模具为长方体型结构，该结构上设置有排列成一定阵列的纳米级孔径的孔道，所述阵列的排布方式及孔道直径由所需物理实验决定；该孔道在Y轴方向上向下延伸，但并非贯穿的通孔；
f：将步骤(1)中的d步骤得到的平面靶膜覆盖在该阵列靶模具的孔道上，置于真空室内；对平面靶膜加热至其变为可流动的胶体状；该胶体状在重力作用下流入阵列靶模具的孔道内，其中胶体状靶模的体积大于所有孔道体积之和；
g：将步骤f得到的阵列靶模具利用硫酸铜溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊启文，王华，孟波，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11