粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在加热处理的情况下也能抑制有机气体产生的粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法。该粘合带具有：基材膜，其在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；和粘接层，其层叠于所述基材膜的至少一个面，含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂和(C)增粘树脂，(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(A‑1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、(A‑2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、(A‑3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯和(A‑4)具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，(C)增粘树脂是软化点为70℃以上且180℃以下的萜烯酚树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合带和使用该粘合带的半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种粘合带和使用了该粘合带的半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，关于LSI的安装技术，CSP(ChipSize/ScalePackage，芯片尺寸封装)受到关注。CSP是使得QFP(QuadFlatPackage，四侧引脚扁平封装)、QFN(QuadFlatNon-lead，四侧无引脚扁平封装)等复数个半导体芯片在引线框的芯片垫(diepad)上排列并在模具的模腔内利用封装树脂进行统一封装的半导体装置。关于QFP、QFN等半导体装置的制造，广泛实施如下传递方式的模塑：利用模塑模具在局部将引线框的外周夹紧，将在柱塞内暂时加热软化的材料填充于模腔并使其固化。在该模塑时，一般将粘合带粘贴于引线框的背面侧，使得封装树脂不向引线框背面侧泄漏(参照专利文献1)。用于模塑时的粘合带不仅在半导体装置的制造工序中使用，还用于在粘贴了引线框的状态下进行保管、输送的情况，有时根据这些管理状态从粘合带产生排气(outgas)而导致引线框剥离，在后续的半导体装置的制造工序中导致封装树脂向引线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粘合带，其中，其具有：/n基材膜，该基材膜在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；以及/n粘接层，该粘接层层叠于所述基材膜的至少一个面，并且含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂以及(C)增粘树脂，/n所述粘合带满足以下(1)及(2)，/n(1)所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、2质量％以上且35质量％以下的(A-2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180528 JP 2018-1013201.一种粘合带，其中，其具有：
基材膜，该基材膜在250℃以下的温度区域内不具有玻璃化转变温度或熔点；以及
粘接层，该粘接层层叠于所述基材膜的至少一个面，并且含有(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物、(B)异氰酸酯系固化剂以及(C)增粘树脂，
所述粘合带满足以下(1)及(2)，
(1)所述(A)(甲基)丙烯酸酯共聚物含有55质量％以上且90质量％以下的(A-1)烷基的碳原子数为4以上且8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯、2质量％以上且35质量％以下的(A-2)选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、甲基丙烯腈以及苯乙烯中的至少1种、0.05质量％以上且13质量％以下的(A-3)具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、以及0.05质量％以上且17质量％以下的(A-4)具有羟基...

【专利技术属性】
技术研发人员：本池进悟，田中秀，中村将，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP