一种三维闪存预充方法技术

本申请提供一种三维闪存预充方法，用于对三维闪存结构进行预充，所述三维闪存结构的底部选择栅BSG与共源线CSL相连，连接相同的电压；所述预充方法在对三维闪存进行预充过程中，在目标时间段内为底部选择栅BSG与共源线CSL施加大于目标电压值的电压，从而能够加快预充速度，缩短预充时间，在目标时间段内即可使得沟道预充电势均达到目标值。

【技术实现步骤摘要】
一种三维闪存预充方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种三维闪存预充方法。
技术介绍
3DNAND是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。编程过程中，按照编程顺序可以分为正向编程和反向编程两种方式，其中，正向编程(NormalProgramSequence)方式为：从3DNAND的离底部最近的选择管开始编程，自下而上依次编程至离顶部选择管最近的字线结束；反向编程(ReverseProgramSequence)为采用自上而下的编程顺序。仿真结果显示，反向编程有利于改善3DNAND的单元间耦合特性(Cell-to-cellinterference)。如图1所示，为正向编程和反向编程后单元间耦合造成的阈值电压漂移的对比图。纵坐标为耦合后阈值电压分布宽度，从图1中可以看出，正向编程后的宽度大于反向编程后的宽度，阈值电压分布宽度越大，干扰越大，因此，反向编程后的阈值电压分布相对于正向编程后的阈值电压分布减小，能够减小编程串扰的发生。但是，在反向编程过程中，还存在预充时间较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维闪存预充方法，其特征在于，从所述三维闪存的顶端向底端对所述三维闪存的编程单元依次进行编程；所述三维闪存预充方法具体包括：/n确定待编程字线；/n为所述待编程字线的底部选择栅提供第一电压，和其所在共源线提供第二电压；/n其中，所述第一电压与所述第二电压相等，且持续时间段相同；所述第一电压大于目标电压值；且持续时间小于或等于目标时间段。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维闪存预充方法，其特征在于，从所述三维闪存的顶端向底端对所述三维闪存的编程单元依次进行编程；所述三维闪存预充方法具体包括：
确定待编程字线；
为所述待编程字线的底部选择栅提供第一电压，和其所在共源线提供第二电压；
其中，所述第一电压与所述第二电压相等，且持续时间段相同；所述第一电压大于目标电压值；且持续时间小于或等于目标时间段。


2.根据权利要求1所述的三维闪存预充方法，其特征在于，还包括：
对所述三维闪存的编程字线按照字线与共源线之间的距离进行分区；
确定所述待编程字线所在分区；
按照与所述分区对应的预充操作参数对所述待编程字线进行编程预充；
其中，所述预充操作参数包括：所述第一电压、所述第一电压持续时间段。


3.根据权利要求2所述的三维闪存预充方法，其特征在于，沿所述三维闪存的顶端指向底端的方向，多个分区对应的所述第一电压依次减小。


4.根据权利要求2所述的三维闪存预充方法，其特征在于，沿所述三维闪存的顶端指向底端的方向，多个分区对应的所述第一电压的持续时间依次减小。


5.根据权利要求2所述的三维闪存预充方法，其特征在于，沿所述三维闪存的顶端指向底端的方向，多个分区对应的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳磊，王治煜，候伟，贾信磊，李春龙，霍宗亮，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11