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本申请提供一种三维闪存预充方法，用于对三维闪存结构进行预充，所述三维闪存结构的底部选择栅BSG与共源线CSL相连，连接相同的电压；所述预充方法在对三维闪存进行预充过程中，在目标时间段内为底部选择栅BSG与共源线CSL施加大于目标电压值的电压...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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