【技术实现步骤摘要】
多晶硅二次加料装置、多晶硅铸锭设备
本专利技术涉及多晶硅产品制作
，尤其涉及一种多晶硅二次加料装置、多晶硅铸锭设备。
技术介绍
直拉法是生产单晶硅的主要方法，把原生多晶硅块装入石英坩埚中，在单晶炉内按照工艺配方：化料、安定、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却、取棒，最后得到单晶棒。其中，化料过程中，由于多晶硅由固态变为液态，体积变小，且装料时固体硅料间存在空隙，硅液体积远小于装料体积。硅溶液的液面远低于坩埚上边缘，此时将进行二次加料，提升单只坩埚的装料重量，增加产能，进而降低生产成本。相关技术中使用的二次加料装置主要部件为石英筒，二次加料时，石英筒置入单晶炉炉室内，并使石英筒的石英支撑环下降至单晶副炉室的底部平台，通过底部平台，起到支撑石英筒、辅助打开加料口的作用，籽晶绳下降带动打开石英筒内挡料管与石英筒壁的间隙，完成二次加料。在使用过程中由于石英的性质及环境温差大突变，容易导致石英支撑环碎裂掉渣。而石英支撑环碎裂、掉渣对二次加料装置的使用寿命起着至关重要的作用。此外二次加料装置中的硅料为常温，在加入进...
【技术保护点】
1.一种多晶硅二次加料装置，包括加料筒，所述加料筒沿其延伸方向的顶部和底部均具有开口，所述加料筒的顶部开口处设置有盖体，所述加料筒底部开口设置有挡板，所述挡板靠近所述顶部的一侧连接有能够使得所述挡板移动以打开所述加料筒底部的开口的移动连接件，其特征在于，/n所述加料筒的侧壁包括套设的内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间的容纳空间内设置有加热结构，所述加热结构用于对加料筒内的多晶硅进行预热。/n
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅二次加料装置，包括加料筒，所述加料筒沿其延伸方向的顶部和底部均具有开口，所述加料筒的顶部开口处设置有盖体，所述加料筒底部开口设置有挡板，所述挡板靠近所述顶部的一侧连接有能够使得所述挡板移动以打开所述加料筒底部的开口的移动连接件，其特征在于，
所述加料筒的侧壁包括套设的内侧壁和外侧壁，所述内侧壁和外侧壁之间的容纳空间内设置有加热结构，所述加热结构用于对加料筒内的多晶硅进行预热。
2.根据权利要求1所述的多晶硅二次加料装置，其特征在于，所述加热结构包括沿着所述加热筒的周向均匀分布的多个加热板，每个所述加热板与所述加料筒的延伸方向相平行设置。
3.根据权利要求1所述的多晶硅二次加料装置，其特征在于，所述加热结构包括以螺旋方式缠绕于所述内侧壁靠近所述外侧壁的一面的导热丝。
4.根据权利要求1所述的多晶硅二次加料装置，其特征在于，所述外侧壁的外表面设置有能够与炉室内的挡板配合以固定所述加料筒的支撑板。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，李阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，西安奕斯伟材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。