【技术实现步骤摘要】
硅铸锭装置
本技术涉及光伏制造领域,尤其涉及一种硅铸锭装置。
技术介绍
类单晶生产过程中氧含量的控制非常关键,氧元素主要来自于坩埚,坩埚内氧元素进入硅溶液,挥发出来进入盖板与硅液表面形成的腔体,腔体内有氩气形成气路,氧元素会随着气体在盖板与熔体表面及护板或坩埚形成的腔体内流动,如果气路不合理,气体不能很顺畅的流出腔体,而反流回腔体,造成气体携带氧元素再次与熔体表面接触,造成氧元素浸入到熔液内,造成氧含量的增加,而现有的铸锭装置中的气路是大多都存在较大的回流,这必然会造成较大的氧含量回流。
技术实现思路
本技术所解决的技术问题在于提供一种硅铸锭装置,以改善现有技术中气路不够优化、氧元素回流较大的问题。为解决上述技术问题,本技术提供一种硅铸锭装置,其包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板,所述盖板的下表面安装有一导流件,所述导流件呈倒置的漏斗状。进一步地,所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁。进一步地,所述盖板的中心位置开设有一通气孔,所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。进一步地,所述顶部气口和底部气口均呈圆形,且顶部气口的直径小于底部气口的直径,且顶部气口与底部气口的距离为50mm-100mm。进一步地,所述导流件通过连接件与所述盖板相连,所述连接件采用高度为20-50mm的石墨吊杆。进一步地,所述顶部气口的直径与所述通气孔的直径相同,且为80-120mm;所述底部气口的直径为200-300mm。进一步地 ...
【技术保护点】
1.一种硅铸锭装置,包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板,其特征在于,所述盖板的下表面安装有一导流件,所述导流件呈倒置的漏斗状,所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁,所述盖板的中心位置开设有一通气孔,所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅铸锭装置,包括坩埚及遮盖于所述坩埚上方的盖板,其特征在于,所述盖板的下表面安装有一导流件,所述导流件呈倒置的漏斗状,所述导流件设有顶部气口、底部气口以及连接顶部气口和底部气口的环壁,所述盖板的中心位置开设有一通气孔,所述通气孔与所述顶部气口、底部气口在竖直方向上位置对应。
2.根据权利要求1所述的硅铸锭装置,其特征在于:所述顶部气口和底部气口均呈圆形,且顶部气口的直径小于底部气口的直径,且顶部气口与底部气口的距离为50mm-100mm...
【专利技术属性】
技术研发人员:李林东,王全志,陈伟,唐珊珊,
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,包头阿特斯阳光能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。