镓、氢、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池技术

本申请涉及光伏领域，本申请提供镓、氢、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，所述镓、氢、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×10

【技术实现步骤摘要】
镓、氢、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池
本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及镓、氢、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池。
技术介绍
目前，作为太阳能光电利用中发展最快的领域之一，晶体硅电池的技术发展颇受瞩目，提高太阳能电池的转换效率是目前亟需解决的问题。在现有的单晶硅生产过程中，直拉单晶硅容易出现中点缺陷、位错缺陷及金属缺陷等，这些缺陷的存在容易降低单晶硅的少子寿命，降低太阳能电池的转换效率。
技术实现思路
鉴于此，本申请提出镓、氢、氮掺杂单晶硅及其制备方法、太阳能电池，可以有效提升单晶硅中的少子寿命，有利于提升电池钝化效果，提升硅片机械强度，提高太阳能电池的转换效率。本申请提供一种镓、氢、氮掺杂单晶硅，所述镓、氢、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105~1×1016atoms/cm3，镓掺杂浓度为1×1015~5×1017atoms/cm3，氮掺杂浓度为1×1012~1×1016atoms/cm3；所述镓、氢、氮掺杂单晶硅的电阻率为0.1~10Ω·cm。本申请提供一种上述的镓、氢、氮掺杂单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镓、氢、氮掺杂单晶硅，其特征在于，所述镓、氢、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×10

【技术特征摘要】
1.一种镓、氢、氮掺杂单晶硅，其特征在于，所述镓、氢、氮掺杂单晶硅中的氢掺杂浓度为1×105~1×1016atoms/cm3，镓掺杂浓度为1×1015~5×1017atoms/cm3，氮掺杂浓度为1×1012~1×1016atoms/cm3；所述镓、氢、氮掺杂单晶硅的电阻率为0.1~10Ω·cm。


2.一种如权利要求1所述的镓、氢、氮掺杂单晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将多晶硅原料以及镓掺杂剂放入石英坩埚中；
将所述石英坩埚置于单晶炉抽真空，并在惰性气体保护下熔化多晶硅原料，得到硅熔体；
当所述硅熔体温度稳定后，往所述单晶炉内加入氢源及氮源，将晶种浸入所述硅熔体中开始引晶；
引晶结束后，开始放肩，使得晶体的直径逐步增大至预设宽度，再进行等径生长；
等径生长完成后，进入收尾阶段，使得所述晶体的直径逐步缩小直至与所述硅熔体分离；
生长完成的所述晶体冷却至室温后取出，所述晶体为镓、氢、氮掺杂单晶硅。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢源为含氢气体，所述氮源为含氮气体，所述往所述单晶炉内加入氢源及氮源的具体步骤包括：
将所述含氢气体、所述含氮气体与所述惰性气体混合形成混合气体，并将所述混合气体通入所述单晶炉内。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氢气体在所述混合气体中的体积占比为0.1%~2%，所述含氮气体在所述混合气体中的体积占比为1%~20%。


5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述含氢气体包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖贵云，白枭龙，尚伟泽，何丽珠，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36