多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置制造方法及图纸

技术编号:26638266 阅读:30 留言:0更新日期:2020-12-08 15:48
本实用新型专利技术公开了一种多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,包括:石墨舟组件;内部中空的沉积箱,所述沉积箱的前侧和/或后侧开设有通往沉积箱内部的石墨舟进出口;给排气组件,其包括分别从所述沉积箱的顶部与底部通往所述沉积箱内部的进气管与排气管;以及石墨舟传送组件,其设于所述沉积箱中,用于支持并传动所述石墨舟组件;其中,所述石墨舟组件在所述石墨舟传送组件的传动下经所述石墨舟进出口进出所述沉积箱的内部。根据本实用新型专利技术,其一方面降低了臭氧的消耗量,另一方面平衡了氧化腔中进气端与排气端的臭氧浓度,提高氧化均匀性。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置
本技术涉及用于TOPCon结构电池界面氧化硅沉积领域,特别涉及一种多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置。
技术介绍
提高太阳电池转换效率一直是光伏业界孜孜追求的目标。太阳能电池效率损失来源分为光学损失、电学损失和复合损失。随着硅片质量的不断提高,晶硅电池表面复合损失已成为制约电池效率提升的关键因素,因此表面钝化技术尤为重要。为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化,并去除背面开膜工艺,钝化接触技术近年来成为行业研究热点。德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(FraunhoferISE)开发的TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact)技术即为钝化接触的一种。TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化,超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合,进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集,从而极大地降低了金属接触复合电流,提升了电池的开路电压和短路电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,其特征在于,包括:/n石墨舟组件(1);/n内部中空的沉积箱(4),所述沉积箱(4)的前侧和/或后侧开设有通往沉积箱(4)内部的石墨舟进出口(42);/n给排气组件(3),其包括分别从所述沉积箱(4)的顶部与底部通往所述沉积箱(4)内部的进气管(31)与排气管(34);以及/n石墨舟传送组件(2),其设于所述沉积箱(4)中,用于支持并传动所述石墨舟组件(1);/n其中,所述石墨舟组件(1)在所述石墨舟传送组件(2)的传动下经所述石墨舟进出口(42)进出所述沉积箱(4)的内部。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,其特征在于,包括:
石墨舟组件(1);
内部中空的沉积箱(4),所述沉积箱(4)的前侧和/或后侧开设有通往沉积箱(4)内部的石墨舟进出口(42);
给排气组件(3),其包括分别从所述沉积箱(4)的顶部与底部通往所述沉积箱(4)内部的进气管(31)与排气管(34);以及
石墨舟传送组件(2),其设于所述沉积箱(4)中,用于支持并传动所述石墨舟组件(1);
其中,所述石墨舟组件(1)在所述石墨舟传送组件(2)的传动下经所述石墨舟进出口(42)进出所述沉积箱(4)的内部。


2.如权利要求1所述的多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,其特征在于,所述沉积箱(4)中设有隔断板(46)以使得所述沉积箱(4)的内部空间被分隔成从上至下依次设置的连接腔(47)与氧化腔(41),其中,所述石墨舟进出口(42)通往所述氧化腔(41)的内部。


3.如权利要求2所述的多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,其特征在于,所述氧化腔(41)中设有位于所述隔断板(46)正下方的喷淋板(32),其中,所述喷淋板(32)与所述隔断板(46)间隔设置以形成位于两者之间的缓存腔;所述进气管(31)穿过所述喷淋板(32)后通往所述缓存腔的顶部;所述喷淋板(32)上开设有若干个连通所述缓存腔与所述氧化腔(41)的喷淋孔。


4.如权利要求3所述的多晶硅钝化接触太阳能电池氧化硅薄膜沉积装置,其特征在于,所述喷淋板(32)的底面设有紫外线灯(33)。


5.如权利要求2~4任一项所述的多晶硅钝化接...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶继春闫宝杰曾俞衡黄丹丹刘景博王玉明陈晖
申请(专利权)人:苏州拓升智能装备有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1