BAW谐振器的封装模块及封装方法技术

本发明专利技术提供一种BAW谐振器的封装模块及封装方法，所述封装方法将包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的谐振结构的BAW谐振器件通过接合层与第二衬底接合，在第一衬底一侧形成暴露出谐振结构相应的电连接部的穿通孔，并在穿通孔的内表面以及部分第一衬底的表面上形成导电互连层，避免了从接合层中进行穿通孔刻蚀以及沉积导电材料的步骤，进而使得接合层的材料可以选择提供较好接合效果的材料，有助于降低工艺难度，提高穿通孔以及所形成的封装模块的稳定性，从而有助于提高BAW谐振器封装结构的性能。所述封装模块可通过上述封装方法形成。

【技术实现步骤摘要】
BAW谐振器的封装模块及封装方法
本专利技术涉及射频产品封装
，特别涉及一种BAW谐振器的封装模块及封装方法。
技术介绍
随着无线通讯技术的不断发展，为了满足各种无线通讯终端的多功能化需求，终端设备需要能够利用不同的载波频谱传输数据，同时，为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，对于射频系统也提出了严格的性能要求。射频滤波器是射频系统的重要组成部分，可以将通信频谱外的干扰和噪声滤出以满足射频系统和通信协议对于信噪比的需求。以手机为例，由于每一个频带需要有对应的滤波器，一台手机中可能需要设置数十个滤波器。声表面波(SurfaceAcousticWave，简称SAW)滤波器和体声波(BulkAcousticWave，简称BAW)滤波器是射频滤波器最主流的两种实现方式。其中，SAW滤波器结构简单，与传统空腔滤波器和陶瓷滤波器相比，体积小，综合了低插入损耗和良好的抑制性能，广泛用于2G和3G接收器前端、双工器以及接收滤波器，可以较好地满足包括GSM、CDMA、3G以及部分4G频带，但是SAW滤波器的工作频率与电极线宽成反比，在频率大于1G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BAW谐振器的封装方法，其特征在于，包括：/n提供BAW谐振器件，所述BAW谐振器件包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的谐振结构，所述谐振结构与所述第一衬底之间形成有第一间隙；/n通过接合层将所述BAW谐振器件从谐振结构一侧与第二衬底接合，所述谐振结构与所述第二衬底之间具有主要由所述接合层围成的第二间隙，所述第二间隙和所述第一间隙至少部分对准；/n在所述第一间隙周围形成穿过所述第一衬底且暴露出所述谐振结构的相应的电连接部的穿通孔；以及/n形成导电互连层于所述穿通孔的内表面以及所述穿通孔外围的部分所述第一衬底的表面上。/n

【技术特征摘要】
20190719 CN 20191065668961.一种BAW谐振器的封装方法，其特征在于，包括：
提供BAW谐振器件，所述BAW谐振器件包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的谐振结构，所述谐振结构与所述第一衬底之间形成有第一间隙；
通过接合层将所述BAW谐振器件从谐振结构一侧与第二衬底接合，所述谐振结构与所述第二衬底之间具有主要由所述接合层围成的第二间隙，所述第二间隙和所述第一间隙至少部分对准；
在所述第一间隙周围形成穿过所述第一衬底且暴露出所述谐振结构的相应的电连接部的穿通孔；以及
形成导电互连层于所述穿通孔的内表面以及所述穿通孔外围的部分所述第一衬底的表面上。


2.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，所述谐振结构包括面向所述第一衬底的第一电极、位于所述第一电极上的压电层以及位于所述压电层上的第二电极。


3.如权利要求2所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，所述电连接部包括：第一电连接部，包括伸出第一间隙的部分所述第一电极；第二电连接部，包括伸出第一间隙的部分所述第二电极。


4.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，所述谐振结构面向所述第二衬底的一侧具有开口，所述开口位于所述第二间隙外围且暴露所述电连接部面向所述第二衬底的部分表面或全部表面；所述接合层填满所述开口。


5.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，将所述BAW谐振器件与第二衬底接合在一起之后且在形成所述穿通孔之前，先对所述第一衬底进行减薄。


6.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，在形成所述穿通孔之后且在所述穿通孔的内表面上形成所述导电互连层之前，先在所述穿通孔的侧壁上形成侧壁保护层。


7.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，在形成所述导电互连层之后，还包括：
形成钝化层，所述钝化层填满所述穿通孔并暴露出所述穿通孔外围的谐振器盖体表面上的部分所述导电互连层，被暴露出的所述导电互连层形成接触垫。


8.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，所述钝化层和所述压电层的材质相同；或者，所述钝化层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氮化物和聚合物中的至少一种。


9.如权利要求1所述的BAW谐振器的封装方法，其特征在于，所述接合层的材料包括光固化材料、热固化材料、二氧化硅、氮化物、正硅酸乙酯以及介电常数K大于4的高K介质中的至少一种。


10.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，提供所述BAW谐振器件的步骤包括：
提供制备衬底，并依次形成用于制作所述谐振结构的压电堆叠膜层和支撑层于所述制备衬底上；
刻蚀所述支撑层，以在所述支撑层中形成第一间隙；
提供所述第一衬底，并将所述第一衬底键合到所述支撑层上；以及，
去除所述制备衬底，以形成所述BAW谐振器件。


11.如权利要求10所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，在所述压电堆叠膜层上形成所述支撑层之前，或者，在去除所述制备衬底之后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海龙，齐飞，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31