体声波谐振器的封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供一种体声波谐振器的封装方法及封装结构，形成具有第二空腔的分子吸附力键合层于所述谐振腔主体结构的表面上，所述第二空腔和所述第一空腔至少部分对准，以暴露出至少部分所述体声波谐振结构，再将第二衬底通过该分子吸附力键合层与谐振腔主体结构直接键合，之后可以形成穿过第二衬底和分子吸附力键合层的导电互连层。由于先在所述谐振腔主体结构的表面上形成了具有第二空腔的分子吸附力键合层，因此能容忍谐振腔主体结构上的体声波谐振结构在第一空腔外围的区域上具有一定的台阶高度差异，并能够利用分子吸附力键合层和第二衬底之间产生的分子吸附力来提高体声波谐振器的结构的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器的封装方法及封装结构
本专利技术涉及射频产品封装
，尤其涉及一种体声波谐振器的封装方法及封装结构。
技术介绍
体声波谐振器(BAWR)包括典型地设置在压电层之上和/或之下的电极。响应于施加到电极的高频信号，压电层可以振荡。BAWR可以用于无线信号传输系统，以实现无线数据的输入和/或输出。例如，BAWR可以用在无线通信装置、无线功率发射器、无线传感器的滤波器、发射器、接收器、双工器等中。请参考图1，目前的体声波谐振器在谐振腔主体结构完成以后，需要一个上空腔盖来做保护和完成最终的谐振功能。通常是通过金-金键合(Au-Aubonding)工艺将上腔盖和谐振腔主体结构键合在一起，该过程具体包括以下步骤：(1)通过热氧化工艺或化学气相沉积工艺，在载体衬底(未图示)上生长二氧化硅层200，并进一步通过光刻、刻蚀工艺，刻蚀去除部分厚度的所述二氧化硅层200而形成第二空腔2001，由此形成具有载体衬底、二氧化硅层200以及第二空腔2001的上腔盖。(2)通过金-金键合(Au-Aubonding)工艺，将上腔盖与预先制作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供谐振腔主体结构，所述谐振腔主体结构包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的体声波谐振结构，所述第一衬底和所述体声波谐振结构之间形成有第一空腔；/n形成具有第二空腔的分子吸附力键合层于所述谐振腔主体结构的表面上，且所述第二空腔和所述第一空腔至少部分对准，以暴露出至少部分所述体声波谐振结构；/n提供第二衬底，并通过所述分子吸附力键合层和所述第二衬底之间产生的分子吸附力，将所述第二衬底键合到所述分子吸附力键合层上；/n形成穿过所述第二衬底和所述分子吸附力键合层的穿通孔，所述穿通孔暴露出所述体声波谐振结构的相应的电连接部；以及，/n形成导...

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供谐振腔主体结构，所述谐振腔主体结构包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的体声波谐振结构，所述第一衬底和所述体声波谐振结构之间形成有第一空腔；
形成具有第二空腔的分子吸附力键合层于所述谐振腔主体结构的表面上，且所述第二空腔和所述第一空腔至少部分对准，以暴露出至少部分所述体声波谐振结构；
提供第二衬底，并通过所述分子吸附力键合层和所述第二衬底之间产生的分子吸附力，将所述第二衬底键合到所述分子吸附力键合层上；
形成穿过所述第二衬底和所述分子吸附力键合层的穿通孔，所述穿通孔暴露出所述体声波谐振结构的相应的电连接部；以及，
形成导电互连层于所述穿通孔的表面以及所述穿通孔外围的部分所述第二衬底的表面上。


2.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，所述体声波谐振结构包括靠近所述第一衬底的第一电极、位于所述第一电极上的压电层以及位于所述压电层上的第二电极。


3.如权利要求2所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，所述电连接部包括：第一电连接部，包括伸出第一空腔的部分第一电极；第二电连接部，包括伸出第一空腔的部分第二电极。


4.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，形成具有第二空腔的分子吸附力键合层的步骤包括：沉积分子吸附力键合材料于所述谐振腔主体结构的表面上；平坦化沉积的分子吸附力键合材料；以及，刻蚀所述分子吸附力键合材料，直至暴露出所述体声波谐振结构背向所述第一衬底的表面，以形成具有第二空腔的分子吸附力键合层。


5.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，所述分子吸附力键合层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、正硅酸乙酯和介电常数大于4的高K介质中的至少一种。


6.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，将所述第二衬底键合到所述分子吸附力键合层上的工艺条件包括：键合温度为150℃～500℃，键合气体氛围为真空或氮气氛围，工艺压力为0torr～10torr。


7.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，在将所述第二衬底键合到所述分子吸附力键合层上之后且在形成所述穿通孔之前，先对所述第二衬底进行减薄。


8.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，在形成所述导电互连层之后，还包括：形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层填满所述穿通孔并暴露出所述穿通孔外围的第二衬底表面上部分所述导电互连层，被暴露出的所述导电互连层形成导电接触垫。


9.如权利要求8所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，所述钝化层和所述压电层的材质相同；或者，所述钝化层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氮化物和聚合物中的至少一种材质。


10.如权利要求1所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，提供所述谐振腔主体结构的步骤包括：
提供载体衬底，并依次形成用于制作体声波谐振结构的膜层和支撑层于所述载体衬底上；
刻蚀所述支撑层，以在所述支撑层中形成空腔；
提供所述第一衬底，并将所述第一衬底键合到所述支撑层上；以及，
去除所述载体衬底，以形成所述谐振腔主体结构。


11.如权利要求10所述的体声波谐振器的封装方法，其特征在于，采用真...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海龙，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33