薄膜体声波谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，在第一衬底上依次形成第一电极层、压电材料层及第二电极层，然后在第二电极层上形成支撑层，在所述支撑层中形成顶部开口的空腔，接着将支撑层与第二衬底键合，然后去除第一衬底，并图案化第一电极层、压电材料层及第二电极层形成第一电极、压电层及第二电极。本发明专利技术通过刻蚀支撑层和键合工艺实现薄膜体声波滤波器的空腔结构，避免了由于CMP工艺带来的不同介质之间的微小起伏对压电层均匀性的影响，同时避免了由于牺牲层稀释不彻底对薄膜体声波滤波器性能的影响。

【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。
技术介绍
射频(RF)通信，如在移动电话中使用的通信，需要运用射频滤波器，每一个射频滤波器都能传递所需的频率，并限制所有其他频率。随着移动通信技术的发展，移动数据传输量也迅速上升。因此，在频率资源有限以及应当使用尽可能少的移动通信设备的前提下，提高无线基站、微基站或直放站等无线功率发射设备的发射功率成了必须考虑的问题，同时也意味着对移动通信设备前端电路中滤波器功率的要求也越来越高。目前，无线基站等设备中的大功率滤波器主要是以腔体滤波器为主，其功率可达上百瓦，但是这种滤波器的尺寸太大。也有的设备中使用介质滤波器，其平均功率可达5瓦以上，这种滤波器的尺寸也很大。由于尺寸大，所以这两种滤波器无法集成到射频前端芯片中。随着MEMS技术越来越成熟，由体声波谐振器构成的滤波器，能够很好地克服了上述两种滤波器存在的缺陷。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)具有工作频率高、插损小、Q值高、耐受功率高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一衬底，并在所述第一衬底上依次形成第一电极层、压电材料层及第二电极层；/n在所述第二电极层上形成支撑层，在所述支撑层中形成顶部开口的空腔，所述空腔贯穿所述支撑层；/n提供第二衬底，并将所述第二衬底与所述支撑层进行键合；/n去除所述第一衬底；以及/n图案化所述第一电极层、压电材料层及第二电极层以形成第一电极、压电层及第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底，并在所述第一衬底上依次形成第一电极层、压电材料层及第二电极层；
在所述第二电极层上形成支撑层，在所述支撑层中形成顶部开口的空腔，所述空腔贯穿所述支撑层；
提供第二衬底，并将所述第二衬底与所述支撑层进行键合；
去除所述第一衬底；以及
图案化所述第一电极层、压电材料层及第二电极层以形成第一电极、压电层及第二电极。


2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，在形成所述第一电极层之前，还包括：在所述第一衬底上形成释放层。


3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，在形成所述支撑层之前，形成所述第二电极层之后，还包括：在所述第二电极层上形成刻蚀停止层。


4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，图案化所述第一电极层、压电材料层及第二电极层形成第一电极、压电层及第二电极之后，还包括：
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极、所述压电层及所述第二电极。


5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，采用热压键合或干膜粘合的方式实现所述第二衬底与所述支撑层的键合。


6.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，所述释放层的材料包括电介质材料、光固化胶、热熔胶或激光脱模材料。


7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于，当所述释放层的材料为电介质材料时，通过减薄工艺去除所述电介质材料和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国煌，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33