【技术实现步骤摘要】
一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法
本专利技术涉及霍尔传感器
,尤其涉及一种高灵敏度霍尔传感器及其制造方法。
技术介绍
磁场传感器是一种将磁场转成相应电信号的电子器件。霍尔效应物理本质是洛伦兹力影响了电流中载流子的运动方向。当偏置电流流过一个通有磁场的导体或半导体时,洛伦兹力使载流子的运动方向偏离偏置电流和磁场方向,于是载流子在另一方向上聚集,产生电势差,即和偏置电流和磁场大小成比例的霍尔电压。利用霍尔效应实现的磁场传感器就是霍尔传感器,得益于和微电子工艺的完美结合,低成本的霍尔传感器己经成为最广泛使用的磁场传感器,目前市场销售额达到数十亿美元。它通常作为无接触式传感器的关键部件用于线性位置、旋转角度、速度和电流等检测,己广泛应用在工业控制、消费电子、汽车工业等领域。霍尔传感器作为一种标准测量工具,需要具有优秀的稳定性及可靠性。然而,表面效应会导致霍尔传感器的灵敏性和不稳定性。探测区上会有数量不可控的电荷,这些电荷会吸引与探测区的有源层中极性相反的载流子,从而改变霍尔传感器的性能,这种现象叫做表面效应。 ...
【技术保护点】
1.一种高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所述高灵敏度霍尔传感器包括:衬底、有源层、隔离层和四个电极层;/n所述有源层设置于所述衬底上,所述隔离层和四个所述电极层均设置于所述有源层上,且所有所述电极层分散设置于所述隔离层的外围;/n所述隔离层包括层叠设置的第一层和第二层,所述第一层设置于所述有源层和所述第二层之间;所述第一层掺杂有第一离子,所述第二层掺杂有第二离子,且所述第一离子的注入能量大于所述第二离子的注入能量,所述第一离子的注入剂量小于所述第二离子的注入剂量。/n
【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所述高灵敏度霍尔传感器包括:衬底、有源层、隔离层和四个电极层;
所述有源层设置于所述衬底上,所述隔离层和四个所述电极层均设置于所述有源层上,且所有所述电极层分散设置于所述隔离层的外围;
所述隔离层包括层叠设置的第一层和第二层,所述第一层设置于所述有源层和所述第二层之间;所述第一层掺杂有第一离子,所述第二层掺杂有第二离子,且所述第一离子的注入能量大于所述第二离子的注入能量,所述第一离子的注入剂量小于所述第二离子的注入剂量。
2.根据权利要求1所述的高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所述高灵敏度霍尔传感器还包括保护层;所述保护层层叠设置于所述隔离层和四个所述电极层的顶端。
3.根据权利要求2所述的高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所述保护层包括聚酰亚胺材料层。
4.根据权利要求2所述的高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,于所述电极层的位置,所述保护层开设有沿所述电极层长度方向设置的至少三个条形孔,三个所述条形孔并列设置,且每一所述条形孔连通对应的所述电极层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所述第一层和所述第二层的掺杂类型均为P型掺杂。
6.根据权利要求5所述的高灵敏度霍尔传感器,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾南雁,胡慧雄,李龙,赵成政,郑哲,
申请(专利权)人:东莞市金誉半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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