一种超结型快恢复二极管器件制造技术

本发明专利技术公布了一种超结型快恢复二极管器件，自下而上包括阴极金属层、N+阴极区、N型缓冲层、P型区和阳极金属层，所述N型缓冲层和P型区之间还设置有由交替掺杂的P型柱区和N型柱区组成的超结结构。本发明专利技术改善硅基功率器件固有的通态压降与击穿电压之间的矛盾，实现对二极管器件击穿电压的提升，同时优化了其反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
一种超结型快恢复二极管器件
本专利技术属于半导体器件
，主要涉及一种超结型快恢复二极管器件。
技术介绍
功率半导体器件的发展在电力电子技术的发展中起着关键作用，在电力电子技术的不断发展过程中，先后出现了晶闸管、MOSFET、IGBT、MCT等产品，复合化、模块化的功率集成方向是功率半导体器件的一个主要发展方向，功率二极管在所有的功率半导体器件中最为简单常用，广泛应用于各种电子电路之中。功率二极管的主要作用是整流和续流，现代电力电子电路的主回路中，不管是采用换流方式关断的晶闸管，还是采用具有自关断能力的MOSFET、IGBT等新型功率半导体器件，都需要并联一个功率快恢复二极管，来实现负载中无功功率的流通。随着电力电子技术的发展，IGBT和MOSFET等功率半导体器件的频率和性能等不断提升，则对与之相匹配的功率二极管的性能要求也越来越高，比如更低的正向压降、更高的耐压性能、更小的反向漏电流、较小的反向恢复电流、快速的软恢复特性等。但二极管的各种特性之间的优化大都是相互矛盾，比如正向导通特性与反向恢复特性之间的折衷，二极管导通时注入的载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，自下而上包括阴极金属层(8)、N+阴极区(7)、N型缓冲层(6)、P型区(2)和阳极金属层(9)，所述N型缓冲层(6)和P型区(2)之间还设置有由交替掺杂的P型柱区(3)和N型柱区(4)组成的超结结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，自下而上包括阴极金属层(8)、N+阴极区(7)、N型缓冲层(6)、P型区(2)和阳极金属层(9)，所述N型缓冲层(6)和P型区(2)之间还设置有由交替掺杂的P型柱区(3)和N型柱区(4)组成的超结结构。


2.根据权利要求1所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述N型缓冲层(6)的上部还设置有N型半导体漂移区(5)，所述N型半导体漂移区(5)和P型区(2)之间设置有由交替掺杂的P型柱区(3)和N型柱区(4)组成的超结结构。


3.根据权利要求2所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P型区(2)内设置有完全嵌入式的P+区(1)。


4.根据权利要求3所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P+区(1)的掺杂浓度为1×1016cm-3～5×1019cm-3。


5.根据权利要求3所述的一种超结型快恢复二极管器件，其特征在于，所述P+区(1)与阳极金属层(9)欧姆接触。


6.根据权利要求2-3任一所述的一种超结型...

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，张倩，俞恒裕，梁世维，刘航志，江希，彭子舜，杨余，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43