一种双层复杂交错结构微通道热沉制造技术

本发明专利技术提供一种双层复杂交错结构微通道热沉，包括基板1和封装板2。所述基板和封装板相互键合，基板下方是热源8。所述封装板上设置有冷却剂进口3和冷却剂出口4。所述硅基底板分为分流区5，微通道区6和合流区7。所述微通道区6，刻蚀出上下两层相互交错斜向布置的斜槽9，斜槽构成矩阵子通道。上层矩阵子通道和下层矩阵子通道间交错布置，交叉区域10相互连通。矩阵子通道呈一定角度布置，矩阵子通道间周期排列。分流区、合流区和侧槽子通道由基板和封装板的合围区域构成。本发明专利技术上下层冷却剂可以充分混合，且矩阵子通道拐角处，冷却剂会周期性改变流动法向，形成强烈的流体扰动现象，可以破坏热边界层，适用于大功率电子芯片散热领域。

【技术实现步骤摘要】
一种双层复杂交错结构微通道热沉
本专利技术属于微电子芯片的散热
，涉及一种冷却装置，具体涉及一种双层复杂交错结构微通道热沉。
技术介绍
随着过去几十年微机电系统（MEMSs）的飞速发展，电子设备小型化、集成化程度越来越高，电子芯片的散热功率也成倍增加，许多紧凑型产品的热流密度很容易超过106W/m2。而对微电子芯片而言，如不能及时去除高热通量，降低芯片表面温度，将会使器件工作性能大幅下降甚至由于温度度过高而损毁。与传统规模的换热器相比，当量直径小于0.5mm的微通道热沉（MCHS）可以大大提高冷却剂接触面积，减小设备体积，很好的满足集成电路的散热需求。因此，通过对微通道结构的合理布置、设计一种稳定而高效的微通道热沉十分必要。在如今的电子设备冷却领域，单层微通道热沉被广泛应用，然而为了满足日益微型化和集成化电子设备的散热需求，Vafai等人(VafaiK,ZhuL.Analysisoftwo-layeredmicro-channelheatsinkconceptinelectroniccooling.IntJHeatMassTrans199本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双层复杂交错结构微通道热沉，包括键合在一起的硅基底板1和封装板2，热源8设置在硅基底板1下方，所述封装板2上设置有冷却剂进口3和冷却剂出口4，所述硅基底板1可分为分流区5，微通道区6和合流区7。/n

【技术特征摘要】
1.一种双层复杂交错结构微通道热沉，包括键合在一起的硅基底板1和封装板2，热源8设置在硅基底板1下方，所述封装板2上设置有冷却剂进口3和冷却剂出口4，所述硅基底板1可分为分流区5，微通道区6和合流区7。


2.根据权利要求1所述的一种双层复杂交错结构微通道热沉，其特征在于，所述微通道区6，刻蚀出上下两层相互交错斜向布置的斜槽9，斜槽构成矩阵子通道，上层矩阵子通道和下层矩阵子通道间交错布置，交叉区域10相互连通，矩阵子通道呈一定角度布置，矩阵子通道间周期排列。


3.根据权利要求1所述的一种双层复杂交错结构微通道热沉，其特征在于，分流区、合流区和侧槽子通道由基板和封装板的合围区域构成。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓刚，徐鑫，杨超，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23