【技术实现步骤摘要】
一种片式薄膜电阻网络
本专利技术属于片式薄膜电阻
，具体涉及一种片式薄膜电阻网络。
技术介绍
薄膜片式电阻器是近几年来发展最迅速、应用范围最广、前景最被看好的新一代片式电阻器，外资企业几年前就开始批产，大陆目前只有极个别厂家能生产此类产品，相比厚膜片式电阻器而言，薄膜片式电阻器的电阻膜层主要成分为镍铬合金，经过精密加工和后期处理，阻值精度可达±0.5%，温度系数可达±5ppm/℃，稳定度可达0.02%，是代替低精度的厚膜片式电阻器及传统高精度、高稳定柱状带引线电阻器的理想产品；电阻器的阻止会随温度变化而变化，电阻网络往往要求电阻器的精度较高、温度系数小，尤其要求各个电阻器的阻值偏差一致性好，即匹配精度高；而且各个电阻器的阻值-温度特性一致好，即跟踪温度系数小；而分立电阻器由于不能保证使用完全相同的电阻材料和在严格一致的工艺条件下生产，即使是同一批生产的电阻器，其温度系数也总有较大差别，例如，有一批电阻器温度系数为±5ppm/℃，任意从中取出两只组成分压器，其跟踪温度系数最大可达10ppm/℃，因为有可能其中一只是﹢5p...
【技术保护点】
1.一种片式薄膜电阻网络，包括陶瓷基片，所述陶瓷基片正面溅镀有电阻膜层，所述电阻膜层为镍铬合金膜，电阻膜层由激光划线切割成若干电阻个体，其特征在于，每个电阻个体表面设有成对设置、互相分离的两个正面电极，所述正面电极由下到上包括阻挡层、电极底层和电极表层，所述电阻个体表面位于正面电极之间的部分设有钝化层；/n所述阻挡层为溅射钨钛膜层，电极底层为溅射金层，电极表层为电镀金层；电极底层和电极表层的厚度和不小于3μm，溅射金层的厚度小于1μm；/n所述钝化层为电子束蒸发二氧化硅得到，钝化层厚度不小于1μm。/n
【技术特征摘要】
1.一种片式薄膜电阻网络，包括陶瓷基片，所述陶瓷基片正面溅镀有电阻膜层，所述电阻膜层为镍铬合金膜，电阻膜层由激光划线切割成若干电阻个体，其特征在于，每个电阻个体表面设有成对设置、互相分离的两个正面电极，所述正面电极由下到上包括阻挡层、电极底层和电极表层，所述电阻个体表面位于正面电极之间的部分设有钝化层；
所述阻挡层为溅射钨钛膜层，电极底层为溅射金层，电极表层为电镀金层；电极底层和电极表层的厚度和不小于3μm，溅射金层的厚度小于1μm；
所述钝化层为电子束蒸发二氧化硅得到，钝化层厚度不小于1μm。
2.如权利要求1所述一种片式薄膜电阻网络，其特征在于，在已知片式薄膜电阻网络目标阻值的前提下，对设有电阻膜层的陶瓷基片进行设计，得到若干由若干个电阻个体组成的电阻网络单元，即片式薄膜电阻网络；具体设计片式薄膜电阻网络中电阻个体以及相应电极的图形、位置与尺寸，并计算电阻网络单元的初始方阻，使所得初始方阻接近目标阻值。
3.如权利要求2所述一种片式薄膜电阻网络，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建建，李福喜，黄明怀，李精喆，
申请(专利权)人：贝迪斯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。