具有分段式电极的多模干涉光调制器制造技术

技术编号:26595593 阅读:84 留言:0更新日期:2020-12-04 21:17
本发明专利技术提供了一种具有分段式电极的多模干涉光调制器,包括衬底,设于衬底上的缓冲层,设于缓冲层上的多模波导,包覆所述多模波导的包层,以及设于所述包层上的至少一条调制电极;所述调制电极包括位于所述多模波导上部并沿波导轴线方向间隔排布的分段工作电极,以及用于依次连接所述分段工作电极的连接电极;其中,工作电极对应所述多模波导的可调制区域,用于引起多模波导相应区域的折射率变化,所述连接电极对应所述多模波导的非调制区域或位于多模波导之外。本发明专利技术的光调制器具有结构紧凑,易于光电子集成,工艺容差大,制作工艺简单的特点,同时分段式电极的引入可将电光作用集中在光强比较集中的区域,提高能量利用率,减少驱动电压。

【技术实现步骤摘要】
具有分段式电极的多模干涉光调制器
本专利技术涉及光通信
,具体涉及一种具有分段式电极的多模干涉光调制器。
技术介绍
光调制器是高速光通信系统中的关键器件,也是未来光器件小型化,集成化的重要光学器件之一。光调制器按照其调制原理可分为电光、热光、声光、全光等,它们所依据的基本理论是各种不同形式的电光效应、声光效应、磁光效应、Franz-Keldysh效应、量子阱Stark效应、载流子色散效应等。其中电光调制器是通过电压或电场的变化实现调控输出光振幅或相位的器件,它在损耗、功耗、速度、光电子集成等方面都优于其它类型的调制器。目前光调制器的基本结构主要有马赫泽德(MZI)和微环(MicroRing)两种结构,MZI调制器具有高带宽、低电压、高调制速率等优点,但由于MZI双臂存在折射率、尺寸、温度、应力等差异性,需要直流偏置电压来补偿。同时由于双臂波导结构和应力等因素的差异,MZI调制器一般是偏振相关的。微环调制器也具有低电压、高调制速率等优点,但带宽比较窄,同时也存在偏振相关和直流偏置补偿等问题。专利技术内容本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有分段式电极的多模干涉光调制器,其特征在于,包括衬底(1),设于衬底(1)上的缓冲层(2),设于缓冲层(2)上的多模波导(3),包覆所述多模波导(3)的包层(4),以及设于所述包层(4)上的至少一条调制电极(5);所述调制电极(5)包括位于所述多模波导上部并沿波导轴线方向间隔排布的分段工作电极(51),以及用于依次连接所述分段工作电极(51)的连接电极(52);其中,所述工作电极(51)对应所述多模波导(3)的可调制区域,用于引起多模波导相应区域的折射率变化,所述连接电极(52)对应所述多模波导(3)的非调制区域或位于多模波导之外,加电后不影响波导的折射率变化。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有分段式电极的多模干涉光调制器,其特征在于,包括衬底(1),设于衬底(1)上的缓冲层(2),设于缓冲层(2)上的多模波导(3),包覆所述多模波导(3)的包层(4),以及设于所述包层(4)上的至少一条调制电极(5);所述调制电极(5)包括位于所述多模波导上部并沿波导轴线方向间隔排布的分段工作电极(51),以及用于依次连接所述分段工作电极(51)的连接电极(52);其中,所述工作电极(51)对应所述多模波导(3)的可调制区域,用于引起多模波导相应区域的折射率变化,所述连接电极(52)对应所述多模波导(3)的非调制区域或位于多模波导之外,加电后不影响波导的折射率变化。


2.如权利要求1所述的具有分段式电极的多模干涉光调制器,其特征在于,所述分段工作电极(51)的中心分别对应于多模波导(3)上(i-1/2)/n*L1的位置;其中,n为大于1的正整数,i为小于n的正整数,L1为多模波导的长度。


3.如权利要求1所述的具有分段式电极的多模干涉光调制器,其特征在于,所述分段工作电极(51)为条状电极,并沿多模波导(3)的轴线方向均匀间隔排布。


4.如权利要求1-3任一项所述的具有分段式电极的多模干涉光调制器,其特征在于,还包括参考地电极(6),所述参考地电极(6)与所述调制电极(5)共面设置,或者设置于所述缓冲层(2)上,或者设...

【专利技术属性】
技术研发人员:王磊杨波
申请(专利权)人:绍兴庞纳微电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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