一种增强作用型克尔效应衬底制造技术

本发明专利技术提供了一种增强作用型克尔效应衬底，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞周期性排列，贵金属薄膜设置在孔洞的侧壁上。应用时，入射光倾斜照射磁性材料部，入射光耦合进入磁性材料部中的孔洞并被聚集在孔洞内，在孔洞内形成强电场，该强电场与磁性材料层产生作用，增强了克尔效应。由于本发明专利技术中，在磁性材料层内设置孔洞，增加了磁性材料层与光的作用距离，增强了衬底的克尔效应，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种增强作用型克尔效应衬底
本专利技术涉及克尔效应应用领域，具体涉及一种增强作用型克尔效应衬底。
技术介绍
克尔效应是指线偏振光入射到磁性材料上，反射光的偏振面发生旋转的现象。克尔效应在磁光存储、三维成像、生物检测等领域具有巨大的应用潜力。一般地，磁性材料的克尔效应弱，不利于克尔效应的应用。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种增强作用型克尔效应衬底，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞周期性排列，贵金属薄膜设置在孔洞的侧壁上。更进一步地，孔洞为圆形，孔洞按照方形周期排布。更进一步地，孔洞为一维线栅形，孔洞按照一维方向周期性排布。更进一步地，孔洞的宽度相等。更进一步地，孔洞不贯穿磁性材料层。更进一步地，贵金属薄膜还覆盖孔洞的底部。更进一步地，孔洞的宽度大于20纳米、小于200纳米。更进一步地，贵金属薄膜的厚度大于10纳米、小于100纳米。更进一步地，贵金属薄膜的材料为金。更进一步地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强作用型克尔效应衬底，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞设置在所述磁性材料层的表面，所述孔洞周期性排列，所述贵金属薄膜设置在所述孔洞的侧壁上。/n

【技术特征摘要】
1.一种增强作用型克尔效应衬底，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞，贵金属薄膜，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞设置在所述磁性材料层的表面，所述孔洞周期性排列，所述贵金属薄膜设置在所述孔洞的侧壁上。


2.如权利要求1所述的增强作用型克尔效应衬底，其特征在于：所述孔洞为圆形，所述孔洞按照方形周期排布。


3.如权利要求1所述的增强作用型克尔效应衬底，其特征在于：所述孔洞为一维线栅形，所述孔洞按照一维方向周期性排布。


4.如权利要求3所述的增强作用型克尔效应衬底，其特征在于：所述孔洞的宽度相等。


5.如权利要求1-4任一项所述的增强作用型克尔效应衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44