一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，该光学移相器包括：环形谐振腔、直波导、第一电极以及第二电极；其中，直波导位于环形谐振腔的下方，环形谐振腔和直波导组成谐振腔；第一电极和第二电极嵌套于环形谐振腔的正上方；第一电极和第二电极中间的波导上铺有第一间隔层，第一间隔层上沉积有第一石墨烯层，第一石墨烯层上铺有第二间隔层，第二间隔层上沉积有第二石墨烯层，第二石墨烯层上铺有第三间隔层。本发明专利技术解决了由于传统的移相方法存在热串扰、高能耗和响应时间慢等缺陷，且器件体积较大，不适用于片上集成，严重制约了追求紧凑高速高带宽的通用线性电路的性能的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器
本专利技术涉及通用线性电路(UniversalLinearCircuit)、硅光片上互联和低能耗光芯片
，特别涉及一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器。
技术介绍
随着摩尔时代渐趋于终结，人们已经开始把目光从高能耗、高延时的电计算、电通信转移到低能耗、低延时的光计算、光通信和量子通信上。通用线性电路作为一种可重编程的光电路，为量子计算和通信以及全光多输入多输出提供了一个潜在平台。通用线性电路本质上是一种用SiO2芯片制作的可重构集成波导器件，理论上足以实现所有可能的线性光协议，但其功能的实现受到其尺寸限制。相比于通过集成马赫曾德尔调制器在波导上实现光学变换的方法，利用微环谐振腔的方法更具优势。微环占地面积较小，能耗更低，在尺寸有限的SiO2芯片上可以更为容易的对线性电路进行扩张，最关键的是可以在通用线性电路有限的尺寸下容纳更多的光学器件，以尽可能扩大可实现的光协议数量，对于提升系统性能十分关键。目前，实现光学相位调制器的方法主要包括利用材料的自由载流子色散、热光、电光效应或变形特性等。自由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述微型石墨烯环形谐振腔光学移相器包括环形谐振腔、直波导、第一电极和第二电极；其中，/n所述直波导位于所述环形谐振腔的下方，所述环形谐振腔和所述直波导组成谐振腔；所述第一电极和所述第二电极嵌套于所述环形谐振腔的正上方；/n所述第一电极和所述第二电极中间的波导上铺有第一间隔层，所述第一间隔层上沉积有第一石墨烯层，所述第一石墨烯层上铺有第二间隔层，所述第二间隔层上沉积有第二石墨烯层，所述第二石墨烯层上铺有第三间隔层。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述微型石墨烯环形谐振腔光学移相器包括环形谐振腔、直波导、第一电极和第二电极；其中，
所述直波导位于所述环形谐振腔的下方，所述环形谐振腔和所述直波导组成谐振腔；所述第一电极和所述第二电极嵌套于所述环形谐振腔的正上方；
所述第一电极和所述第二电极中间的波导上铺有第一间隔层，所述第一间隔层上沉积有第一石墨烯层，所述第一石墨烯层上铺有第二间隔层，所述第二间隔层上沉积有第二石墨烯层，所述第二石墨烯层上铺有第三间隔层。


2.如权利要求1所述的微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述第一电极为Pd/Au电极，所述第二电极为Au电极。


3.如权利要求1所述的微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述第一电极位于距离所述环形谐振腔300nm处的外部，所述第二电极位于距离所述环形谐振腔300nm处的内部；所述第一电极与第二电极体呈轴对称分布。


4.如权利要求1所述的微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述环形谐振腔的半径为5.2μm。


5.如权利要求1所述的微型石墨烯环形谐振腔光学移相器，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏尧，刘昶岭，王建萍，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京;11