一种带内包围式微加热器的微环移相器制造技术

本发明专利技术公开了一种带内包围式微加热器的微环移相器，该带内包围式微加热器的微环移相器包括：第一微环谐振腔、第二微环谐振腔、直波导、第一加热环、第二加热环、第一连接板、阳极电极、第二连接板以及阴极电极；其中，第一微环谐振腔与第二微环谐振腔平行设置，直波导与第一微环谐振腔及第二微环谐振腔耦合；第一加热环从圆心方向内包围第一微环谐振腔，第二加热环从圆心方向内包围第二微环谐振腔；第一加热环、第二加热环以及阳极电极通过第一连接板连接，第一加热环、第二加热环以及阴极电极通过第二连接板连接。本发明专利技术提供的微环移相器的器件尺寸较小，移相效率较高，工作功耗较低，适用于光子集成系统。

【技术实现步骤摘要】
一种带内包围式微加热器的微环移相器
本专利技术涉及光子集成
，特别涉及一种带内包围式微加热器的微环移相器。
技术介绍
随着后摩尔时代的到来，芯片尺寸的缩小和功耗的控制不再同步，电子芯片的发展受限放缓，基于光子的计算系统逐渐受到越来越多的关注。以光子在计算系统中的超高速度和超低能耗展现出极大的优势，通过光器件搭建具有计算能力的拓扑结构成为了热点。例如，用光分束、合束器和光移相器，基于相干光干涉实现的矩阵运算，将是未来全光智能计算系统中极为重要的组成部分。利用微环谐振腔构建光学移相器，相比于直接用长直波导实现移相，有较为明显的优势，包括器件体积小、移相效率高、功耗低等，可提高光子集成芯片集成度，同时降低其功耗，对需要集成大量光器件的光学计算芯片十分有益。目前，利用硅材料的热光效应改变波导折射率，来实现移相功能的方法，凭借其结构简单，制造方便，容易实现及稳定性强等特点，成为构建光学移相器的主流方法。公开号为CN101529312A的专利申请，提出了一种热光移相器，利用在玻璃材料中掺杂得到的材料构建牺牲层，使得移相器具有耐高温退火本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带内包围式微加热器的微环移相器，其特征在于，所述带内包围式微加热器的微环移相器包括：第一微环谐振腔、第二微环谐振腔、直波导、第一加热环、第二加热环、第一连接板、阳极电极、第二连接板以及阴极电极；其中，/n所述第一微环谐振腔与所述第二微环谐振腔平行设置，所述直波导与所述第一微环谐振腔及所述第二微环谐振腔耦合；所述第一加热环设置在所述第一微环谐振腔内侧，所述第二加热环设置在所述第二微环谐振腔内侧；/n所述第一加热环、第二加热环以及阳极电极通过所述第一连接板连接，所述第一加热环、第二加热环以及阴极电极通过所述第二连接板连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种带内包围式微加热器的微环移相器，其特征在于，所述带内包围式微加热器的微环移相器包括：第一微环谐振腔、第二微环谐振腔、直波导、第一加热环、第二加热环、第一连接板、阳极电极、第二连接板以及阴极电极；其中，
所述第一微环谐振腔与所述第二微环谐振腔平行设置，所述直波导与所述第一微环谐振腔及所述第二微环谐振腔耦合；所述第一加热环设置在所述第一微环谐振腔内侧，所述第二加热环设置在所述第二微环谐振腔内侧；
所述第一加热环、第二加热环以及阳极电极通过所述第一连接板连接，所述第一加热环、第二加热环以及阴极电极通过所述第二连接板连接。


2.如权利要求1所述的带内包围式微加热器的微环移相器，其特征在于，所述第一加热环的外周缘设置有第一沟槽，所述第一加热环通过所述第一沟槽，从所述第一微环谐振腔的圆心沿半径向外的方向内包围所述第一微环谐振腔。


3.如权利要求2所述的带内包围式微加热器的微环移相器，其特征在于，所述第二加热环的外周缘设置有第二沟槽，所述第二加热环通过所述第二沟槽，从所述第二微环谐振腔的圆心沿半径向外的方向内包围所述第二微环谐振腔。


4.如权利要求3所述的带内包围式微加热器的微环移相器，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽的沟槽高度为1.1um至2.3um，沟槽深度为0.8um至1.4um。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏尧，李子正，王建萍，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京;11