【技术实现步骤摘要】
一种热光移相器
本专利技术涉及光电
,尤其涉及一种热光移相器。
技术介绍
随着半导体技术的发展,芯片的尺寸目前已经缩小到了极限。为了进一步的开发具有更高性能的芯片,突破摩尔定律,不需缩小器件体积就能提高性能的硅基光电子芯片应运而生。硅基光电子芯片一般通过电光、热光、以及声光来对光的强度、振幅、频率、相位、偏振以及传播方向等进行调制。其中,利用热光来实现光的相位变化的热光移相器是硅基芯片中一种常用的功能性器件。然而,现有技术中的热光移相器的移相效率较低。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种热光移相器,可以在不影响移相器的体积的情况下,使得光被反复加热,从而利用模式谐振提高光被加热的次数,在不增加移相器体积的情况下有效提高移相效率。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供一种热光移相器,包括:传输波导,用于传输光;加热单元,与所述传输波导热耦合,用于对所述传输波导的至少一部分进行加热以改变通过所述传输波导中光的相位;至少一个光栅结构,形成于所述传输波导的内侧壁或外表面,用于 ...
【技术保护点】
1.一种热光移相器,其特征在于,包括:/n传输波导,用于传输光;/n加热单元,与所述传输波导热耦合,用于对所述传输波导的至少一部分进行加热以改变通过所述传输波导中光的相位;/n至少一个光栅结构,形成于所述传输波导的内侧壁或外表面,用于对所述传输波导中的光进行至少一次反射,使所述光经过被加热的传输波导两次或两次以上。/n
【技术特征摘要】
1.一种热光移相器,其特征在于,包括:
传输波导,用于传输光;
加热单元,与所述传输波导热耦合,用于对所述传输波导的至少一部分进行加热以改变通过所述传输波导中光的相位;
至少一个光栅结构,形成于所述传输波导的内侧壁或外表面,用于对所述传输波导中的光进行至少一次反射,使所述光经过被加热的传输波导两次或两次以上。
2.根据权利要求1所述的热光移相器,其特征在于,对于所述光栅结构的每次反射,入射的TEi模在当前反射后转换为TEi+1模,i为非负整数。
3.根据权利要求2所述的热光移相器,其特征在于,所述传输波导为多模波导;
所述热光移相器还包括:
第一单模波导,与所述多模波导光耦合,入射光经由所述第一单模波导传输至所述多模波导;
第二单模波导,所述第二单模波导与所述多模波导定向耦合,用于将所述传输波导中经过至少一次反射后的光引出形成出射光,所述出射光为TE0模。
4.根据权利要求3所述的热光移相器,其特征在于,所述第一单模波导的横截面直径与所述第二单模波导的横截面直径相等;
其中,所述横截面直径的方向垂直于所述多模波导中的光传输方向。
5.根据权利要求3所述的热光移相器,其特征在于,所述多模波导的横截面直径与所述第一单模波导的横截面直径之间的比例为M~2M;
其中,M为所述光在所述传输波导中的反射次数,所述横截面直径的方向垂直于所述多模波导中的光传输方向。
6.根据权利要求1至3任一项所述的热光移相器,其特征在于,所述光栅结构包含一个或多个重复的光栅单元,且不同的光栅结构具有不同的重复次数;
其中,每个光栅单元包含相邻的两排光栅,且...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘胜平,田野,李强,赵洋,王玮,冯俊波,郭进,
申请(专利权)人:联合微电子中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:重庆;50
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