复合膜材及其制备方法、中框及电子设备技术

本发明专利技术涉及一种复合膜材及其制备方法、中框及电子设备。该复合膜材包括：塑料基材，所述塑料基材的一表面经离子源轰击形成纳米级粗化表面；过渡层，通过物理气相沉积工艺形成于所述塑料基材的纳米级粗化表面上；硬质膜层，通过气相沉积工艺形成于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上；所述硬质膜层的硬度大于所述过渡层的硬度。上述复合膜材降低了复合膜材的应力同时也保证了过渡层与硬质膜层之间的附着力，进而提高了产品的良率，且相比传统的在形成镀层之前喷涂UV过渡层及在形成镀层之后需喷涂色漆上色形成色漆及喷涂形成UV保护层的方法，工艺简化，进而可降低成本。

【技术实现步骤摘要】
复合膜材及其制备方法、中框及电子设备
本专利技术涉及电子设备生产制造
，特别是涉及一种复合膜材及其制备方法、中框及电子设备。
技术介绍
目前手机等电子设备所用的中框根据基材的材质，主要分为金属中框和塑料中框。其中，金属中框的成本高且存在屏蔽手机天线信号的问题。塑料中框可以有效解决金属中框存在的信号干扰问题，但为了使塑料基材增亮，一般需要在塑料基材上形成镀层。而镀层与塑料基材的附着力较差。为了解决镀层与塑料基材之间的附着力问题，一种技术是在塑料基材上直接喷涂UV过渡层，然后在UV过渡层上形成镀层，接着在镀层上通过喷涂色漆上色形成色漆及喷涂形成UV保护层。此工艺流程复杂、成本高，且制得的中框的膜材应力大，产品良率低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够简化工艺、降低中框的膜材应力且提高产品良率的复合膜材及其制备方法、中框及电子设备。一种复合膜材，包括：塑料基材，所述塑料基材的一表面经离子源轰击形成纳米级粗化表面；过渡层，通过物理气相沉积工艺形成于所述塑料基材的纳米级粗化表面上；硬质膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合膜材，其特征在于，包括：/n塑料基材，所述塑料基材的一表面经离子源轰击形成纳米级粗化表面；/n过渡层，通过物理气相沉积工艺形成于所述塑料基材的纳米级粗化表面上；/n硬质膜层，通过气相沉积工艺形成于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上；所述硬质膜层的硬度大于所述过渡层的硬度。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合膜材，其特征在于，包括：
塑料基材，所述塑料基材的一表面经离子源轰击形成纳米级粗化表面；
过渡层，通过物理气相沉积工艺形成于所述塑料基材的纳米级粗化表面上；
硬质膜层，通过气相沉积工艺形成于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上；所述硬质膜层的硬度大于所述过渡层的硬度。


2.如权利要求1所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为硅层、金属钛层和氧化钛层中的一种或者多种形成的叠层。


3.如权利要求2所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为金属钛层和氧化钛层的叠层，所述氧化钛层位于所述塑料基材与所述金属钛层之间。


4.如权利要求1至3任一项所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、金属氮化物层和金属碳化物层中的一种或者多种形成的叠层。


5.如权利要求4所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、氮化钛层、氮化铬层、碳化钛层和碳化铬层中的一种或者多种形成的叠层。


6.如权利要求5所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层为金属铬层、氮化钛层和碳化铬层的叠层，所述金属铬层、所述氮化钛层和所述碳化铬层依次设于所述过渡层的远离所述塑料基材的表面上。


7.如权利要求6所述的复合膜材，其特征在于，所述过渡层为金属钛层和氧化钛层的叠层，所述氧化钛层与所述塑料基材直接接触，所述金属钛层与所述金属铬层直接接触。


8.如权利要求6所述的复合膜材，其特征在于，所述硬质膜层的总厚度为1000nm～50...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春姣，周天济，
申请(专利权)人：深圳市沃阳精密科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44